品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2387DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:395pF@40V
连续漏极电流:2.1A€3A
类型:P沟道
导通电阻:164mΩ@2.1A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT700P08D3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1591pF@40V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2387DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:395pF@40V
连续漏极电流:2.1A€3A
类型:P沟道
导通电阻:164mΩ@2.1A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2337DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW€2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@40V
连续漏极电流:1.2A€2.2A
类型:P沟道
导通电阻:270mΩ@1.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2387DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:395pF@40V
连续漏极电流:2.1A€3A
类型:P沟道
导通电阻:164mΩ@2.1A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7469DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€83.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@40V
连续漏极电流:28A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7469DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€83.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@40V
连续漏极电流:28A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7469DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€83.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@40V
连续漏极电流:28A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7469DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€83.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@40V
连续漏极电流:28A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP0808L-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4.5V@1mA
包装方式:袋
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:P沟道
导通电阻:5Ω@1A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7469DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€83.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@40V
连续漏极电流:28A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7469DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€83.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@40V
连续漏极电流:28A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7469DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€83.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@40V
连续漏极电流:28A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7469DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€83.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@40V
连续漏极电流:28A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2387DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:395pF@40V
连续漏极电流:2.1A€3A
类型:P沟道
导通电阻:164mΩ@2.1A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP0808L-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4.5V@1mA
包装方式:袋
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:P沟道
导通电阻:5Ω@1A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7469DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€83.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@40V
连续漏极电流:28A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7469DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€83.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@40V
连续漏极电流:28A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7469DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€83.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@40V
连续漏极电流:28A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7469DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€83.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@40V
连续漏极电流:28A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3129DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:805pF@40V
连续漏极电流:3.8A€5.4A
类型:P沟道
导通电阻:82.7mΩ@3.8A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2387DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:395pF@40V
连续漏极电流:2.1A€3A
类型:P沟道
导通电阻:164mΩ@2.1A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3129DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:805pF@40V
连续漏极电流:3.8A€5.4A
类型:P沟道
导通电阻:82.7mΩ@3.8A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2337DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW€2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@40V
连续漏极电流:1.2A€2.2A
类型:P沟道
导通电阻:270mΩ@1.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3129DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:805pF@40V
连续漏极电流:3.8A€5.4A
类型:P沟道
导通电阻:82.7mΩ@3.8A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7469DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€83.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@40V
连续漏极电流:28A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7469DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€83.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@40V
连续漏极电流:28A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7469DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€83.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@40V
连续漏极电流:28A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7469ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€73.5W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3420pF@40V
连续漏极电流:7.4A€46A
类型:P沟道
导通电阻:19.3mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7469DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€83.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@40V
连续漏极电流:28A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: