销售单位：个

规格型号(MPN)：ISZ0602NLSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.1W€60W

阈值电压：2.3V@29μA

栅极电荷：29nC@10V

输入电容：1.86nF@40V

连续漏极电流：64A€12A

类型：1个N沟道

导通电阻：7.8mΩ@20A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"23+"：6036}

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0602LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：69W

阈值电压：1.7V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：7.4mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC340N08NS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：32W

阈值电压：2V

栅极电荷：9.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：23A

类型：MOSFET

导通电阻：27.5mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC340N08NS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：32W

阈值电压：2V

栅极电荷：9.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：23A

类型：MOSFET

导通电阻：27.5mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISZ0602NLSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.1W€60W

阈值电压：2.3V@29μA

栅极电荷：29nC@10V

输入电容：1.86nF@40V

连续漏极电流：64A€12A

类型：1个N沟道

导通电阻：7.8mΩ@20A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC340N08NS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：32W

阈值电压：2V

栅极电荷：9.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：23A

类型：MOSFET

导通电阻：27.5mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC340N08NS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：32W

阈值电压：2V

栅极电荷：9.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：23A

类型：MOSFET

导通电阻：27.5mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC123N08NS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：66W

阈值电压：2V

栅极电荷：25nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：55A

类型：MOSFET

导通电阻：10.3mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC123N08NS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：66W

阈值电压：2V

栅极电荷：25nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：55A

类型：MOSFET

导通电阻：10.3mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"23+"：6036}

包装规格(MPQ)：5000psc

规格型号(MPN)：BSZ0602LSATMA1

功率：69W

栅极电荷：14.1nC

包装方式：Reel

漏源电压：80V

阈值电压：1.7V

导通电阻：7.4mΩ

工作温度：-55℃~+150℃

ECCN：EAR99

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISZ0602NLSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.1W€60W

阈值电压：2.3V@29μA

栅极电荷：29nC@10V

输入电容：1.86nF@40V

连续漏极电流：64A€12A

类型：1个N沟道

导通电阻：7.8mΩ@20A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISZ0602NLSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.1W€60W

阈值电压：2.3V@29μA

栅极电荷：29nC@10V

输入电容：1.86nF@40V

连续漏极电流：64A€12A

类型：1个N沟道

导通电阻：7.8mΩ@20A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISZ0602NLSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.1W€60W

阈值电压：2.3V@29μA

栅极电荷：29nC@10V

输入电容：1.86nF@40V

连续漏极电流：64A€12A

类型：1个N沟道

导通电阻：7.8mΩ@20A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：2145

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRF7380TRPBF

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2W

阈值电压：4V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：660pF@25V

连续漏极电流：3.6A

类型：2个N沟道

导通电阻：73mΩ@10V，2.2A

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：2145

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRF7380TRPBF

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2W

阈值电压：4V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：660pF@25V

连续漏极电流：3.6A

类型：2个N沟道

导通电阻：73mΩ@10V，2.2A

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC047N08NS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：125W

阈值电压：2V

栅极电荷：69nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：100A

类型：MOSFET

导通电阻：3.9mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：2145

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRF7380TRPBF

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2W

阈值电压：4V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：660pF@25V

连续漏极电流：3.6A

类型：2个N沟道

导通电阻：73mΩ@10V，2.2A

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"23+"：6036}

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0602LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：69W

阈值电压：1.7V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：7.4mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC025N08LS5ATMA1

导通电阻：2.5mΩ@50A，10V

包装方式：卷带（TR）

类型：1个N沟道

漏源电压：80V

栅极电荷：55nC@4.5V

工作温度：-55℃~+150℃

连续漏极电流：100A

功率：2.5W€156W

阈值电压：2.3V@115μA

输入电容：7.5nF@40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC123N08NS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：66W

阈值电压：2V

栅极电荷：25nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：55A

类型：MOSFET

导通电阻：10.3mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1