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    VISHAY Mosfet场效应管 SUM85N15-19-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM85N15-19-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):SUM85N15-19-E3

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:19mΩ@30A,10V

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€375W

    输入电容:4750pF@25V

    连续漏极电流:85A

    阈值电压:4V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7115DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7115DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7115DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-50℃~150℃

    漏源电压:150V

    栅极电荷:42nC@10V

    连续漏极电流:8.9A

    导通电阻:295mΩ@4A,10V

    输入电容:1190pF@50V

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    功率:3.7W€52W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR578DP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR578DP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR578DP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:45nC@10V

    连续漏极电流:17.2A€70.2A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:8.8mΩ@20A,10V

    输入电容:2540pF@75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7315DN-T1-GE3 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7315DN-T1-GE3 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7315DN-T1-GE3

    导通电阻:315mΩ@2.4A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52W

    漏源电压:150V

    输入电容:880pF@75V

    连续漏极电流:8.9A

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7439DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:90mΩ@5.2A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:150V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD25N15-52_GE3 起订4000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD25N15-52_GE3 起订4000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD25N15-52_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:107W

    输入电容:2200pF@25V

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:25A

    导通电阻:52mΩ@15A,10V

    栅极电荷:51nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR570DP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR570DP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR570DP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    功率:6.25W€104W

    输入电容:3740pF@75V

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:7.9mΩ@20A,10V

    连续漏极电流:19A€77.4A

    栅极电荷:71nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR5710DP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR5710DP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR5710DP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    导通电阻:31.5mΩ@10A,10V

    栅极电荷:15nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    功率:4.8W€56.8W

    连续漏极电流:7.8A€26.8A

    输入电容:770pF@75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD80460E-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD80460E-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD80460E-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:42A

    导通电阻:44.7mΩ@8.3A,10V

    功率:65.2W

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:16nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:560pF@50V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3440DV-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3440DV-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3440DV-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:8nC@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:375mΩ@1.5A,10V

    ECCN:EAR99

    功率:1.14W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3437DV-T1-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3437DV-T1-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3437DV-T1-BE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.1A€1.4A

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:750mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:150V

    栅极电荷:19nC@10V

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:510pF@50V

    功率:2W€3.2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR632DP-T1-RE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR632DP-T1-RE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR632DP-T1-RE3

    栅极电荷:17nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:29A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:69.5W

    漏源电压:150V

    导通电阻:34.5mΩ@10A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:740pF@75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR578DP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR578DP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR578DP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:45nC@10V

    连续漏极电流:17.2A€70.2A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:8.8mΩ@20A,10V

    输入电容:2540pF@75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3440DV-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3440DV-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3440DV-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:8nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:375mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:150V

    功率:1.14W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD25N15-52_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD25N15-52_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD25N15-52_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:107W

    输入电容:2200pF@25V

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:25A

    导通电阻:52mΩ@15A,10V

    栅极电荷:51nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7439DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:90mΩ@5.2A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:150V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR632DP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR632DP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR632DP-T1-RE3

    栅极电荷:17nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:29A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:69.5W

    漏源电压:150V

    导通电阻:34.5mΩ@10A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:740pF@75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4080EY-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4080EY-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4080EY-T1_GE3

    输入电容:1590pF@75V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:18A

    栅极电荷:33nC@10V

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:85mΩ@10A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    功率:7.1W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7439DP-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:90mΩ@5.2A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:150V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7818DN-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7818DN-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7818DN-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:2.2A

    栅极电荷:30nC@10V

    导通电阻:135mΩ@3.4A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4455DY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:2A

    漏源电压:150V

    栅极电荷:42nC@10V

    导通电阻:295mΩ@4A,10V

    输入电容:1190pF@50V

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    功率:5.9W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR578DP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR578DP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR578DP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:45nC@10V

    连续漏极电流:17.2A€70.2A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:8.8mΩ@20A,10V

    输入电容:2540pF@75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3440DV-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3440DV-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3440DV-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:8nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:375mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:150V

    功率:1.14W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR578EP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR578EP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR578EP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:7.5W€150W

    连续漏极电流:17.4A€78A

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    栅极电荷:49nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:8.8mΩ@20A,10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:2540pF@75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7818DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7818DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7818DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:2.2A

    栅极电荷:30nC@10V

    导通电阻:135mΩ@3.4A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD25N15-52-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD25N15-52-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD25N15-52-E3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:3W€136W

    栅极电荷:40nC@10V

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:52mΩ@5A,10V

    连续漏极电流:25A

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:1725pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7315DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7315DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7315DN-T1-GE3

    导通电阻:315mΩ@2.4A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52W

    漏源电压:150V

    输入电容:880pF@75V

    连续漏极电流:8.9A

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7956DP-T1-GE3 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7956DP-T1-GE3 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7956DP-T1-GE3

    功率:1.4W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:2.6A

    导通电阻:105mΩ@4.1A,10V

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM85N15-19-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM85N15-19-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):SUM85N15-19-E3

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:19mΩ@30A,10V

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€375W

    输入电容:4750pF@25V

    连续漏极电流:85A

    阈值电压:4V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4080EY-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4080EY-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4080EY-T1_GE3

    输入电容:1590pF@75V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:18A

    栅极电荷:33nC@10V

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:85mΩ@10A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    功率:7.1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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