品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SUM85N15-19-E3
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:19mΩ@30A,10V
类型:N沟道
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€375W
输入电容:4750pF@25V
连续漏极电流:85A
阈值电压:4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7115DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-50℃~150℃
漏源电压:150V
栅极电荷:42nC@10V
连续漏极电流:8.9A
导通电阻:295mΩ@4A,10V
输入电容:1190pF@50V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
功率:3.7W€52W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR578DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:45nC@10V
连续漏极电流:17.2A€70.2A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:150V
功率:6.25W€104W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:8.8mΩ@20A,10V
输入电容:2540pF@75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7315DN-T1-GE3
导通电阻:315mΩ@2.4A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52W
漏源电压:150V
输入电容:880pF@75V
连续漏极电流:8.9A
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7439DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:90mΩ@5.2A,10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:150V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD25N15-52_GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:107W
输入电容:2200pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:25A
导通电阻:52mΩ@15A,10V
栅极电荷:51nC@10V
阈值电压:4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR570DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:150V
功率:6.25W€104W
输入电容:3740pF@75V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:7.9mΩ@20A,10V
连续漏极电流:19A€77.4A
栅极电荷:71nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR5710DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:31.5mΩ@10A,10V
栅极电荷:15nC@10V
阈值电压:4V@250µA
功率:4.8W€56.8W
连续漏极电流:7.8A€26.8A
输入电容:770pF@75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD80460E-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:42A
导通电阻:44.7mΩ@8.3A,10V
功率:65.2W
类型:N沟道
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:16nC@10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:560pF@50V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3440DV-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8nC@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
漏源电压:150V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:375mΩ@1.5A,10V
ECCN:EAR99
功率:1.14W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3437DV-T1-BE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.1A€1.4A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:750mΩ@1.4A,10V
漏源电压:150V
栅极电荷:19nC@10V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
输入电容:510pF@50V
功率:2W€3.2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR632DP-T1-RE3
栅极电荷:17nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:29A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:69.5W
漏源电压:150V
导通电阻:34.5mΩ@10A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:740pF@75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR578DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:45nC@10V
连续漏极电流:17.2A€70.2A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:150V
功率:6.25W€104W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:8.8mΩ@20A,10V
输入电容:2540pF@75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3440DV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8nC@10V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:375mΩ@1.5A,10V
漏源电压:150V
功率:1.14W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD25N15-52_GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:107W
输入电容:2200pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:25A
导通电阻:52mΩ@15A,10V
栅极电荷:51nC@10V
阈值电压:4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7439DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:90mΩ@5.2A,10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:150V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR632DP-T1-RE3
栅极电荷:17nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:29A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:69.5W
漏源电压:150V
导通电阻:34.5mΩ@10A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:740pF@75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4080EY-T1_GE3
输入电容:1590pF@75V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:18A
栅极电荷:33nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:85mΩ@10A,10V
阈值电压:4V@250µA
功率:7.1W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7439DP-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:90mΩ@5.2A,10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:150V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7818DN-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
类型:N沟道
漏源电压:150V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:2.2A
栅极电荷:30nC@10V
导通电阻:135mΩ@3.4A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4455DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2A
漏源电压:150V
栅极电荷:42nC@10V
导通电阻:295mΩ@4A,10V
输入电容:1190pF@50V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
功率:5.9W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR578DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:45nC@10V
连续漏极电流:17.2A€70.2A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:150V
功率:6.25W€104W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:8.8mΩ@20A,10V
输入电容:2540pF@75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3440DV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8nC@10V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:375mΩ@1.5A,10V
漏源电压:150V
功率:1.14W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR578EP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
功率:7.5W€150W
连续漏极电流:17.4A€78A
类型:N沟道
漏源电压:150V
栅极电荷:49nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:8.8mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:2540pF@75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7818DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
类型:N沟道
漏源电压:150V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:2.2A
栅极电荷:30nC@10V
导通电阻:135mΩ@3.4A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD25N15-52-E3
包装方式:卷带(TR)
功率:3W€136W
栅极电荷:40nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:52mΩ@5A,10V
连续漏极电流:25A
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1725pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7315DN-T1-GE3
导通电阻:315mΩ@2.4A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52W
漏源电压:150V
输入电容:880pF@75V
连续漏极电流:8.9A
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7956DP-T1-GE3
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:2.6A
导通电阻:105mΩ@4.1A,10V
类型:2N沟道(双)
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SUM85N15-19-E3
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:19mΩ@30A,10V
类型:N沟道
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€375W
输入电容:4750pF@25V
连续漏极电流:85A
阈值电压:4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4080EY-T1_GE3
输入电容:1590pF@75V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:18A
栅极电荷:33nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:85mΩ@10A,10V
阈值电压:4V@250µA
功率:7.1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: