采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3000，"22+"：5487，"MI+"：2406}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2512-P
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：344pF@75V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：425mΩ@1.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3437DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@50V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3437DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@50V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：11000，"21+"：3496，"MI+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2512-P
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：344pF@75V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：425mΩ@1.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3437DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@50V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4800N15CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：332pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@1.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4800N15CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：332pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@1.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4800N15CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：332pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@1.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3437DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@50V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3437DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@50V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3437DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.2W
阈值电压：4V@250µA
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输入电容：510pF@50V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3437DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3437DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.2W
阈值电压：4V@250µA
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输入电容：510pF@50V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4800N15CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：332pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@1.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3437DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.2W
阈值电压：4V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@50V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3437DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.2W
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输入电容：510pF@50V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3437DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@50V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4800N15CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：332pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@1.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3437DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@50V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3437DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@50V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3437DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.2W
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连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3437DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.2W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@50V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3437DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
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类型：P沟道
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漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3437DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
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类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3437DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.2W
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栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@50V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3437DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@50V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3437DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@50V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3437DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@50V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3437DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@50V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3437DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@50V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
