品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4455DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€5.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:295mΩ@4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4455DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€5.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:295mΩ@4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4455DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€5.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:295mΩ@4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7317DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€19.8W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:365pF@75V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7317DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€19.8W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:365pF@75V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7317DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€19.8W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:365pF@75V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4455DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€5.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:295mΩ@4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7317DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€19.8W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:365pF@75V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7317DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€19.8W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:365pF@75V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86244
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
输入电容:395pF@75V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:128mΩ@2.8A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4455DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€5.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:295mΩ@4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7317DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€19.8W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:365pF@75V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4455DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€5.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:295mΩ@4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7317DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€19.8W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:365pF@75V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86244
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
输入电容:395pF@75V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:128mΩ@2.8A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86244
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:7nC@10V
输入电容:395pF@75V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:128mΩ@2.8A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4455DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€5.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:295mΩ@4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4455DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€5.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:295mΩ@4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4455DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€5.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:295mΩ@4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4455DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€5.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:295mΩ@4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4455DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€5.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:295mΩ@4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7317DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€19.8W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:365pF@75V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4455DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€5.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:295mΩ@4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4455DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€5.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:295mΩ@4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4455DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€5.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:295mΩ@4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7317DN-T1-GE3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:9.8nC@10V
漏源电压:150V
连续漏极电流:2.8A
输入电容:365pF@75V
类型:P沟道
功率:3.2W€19.8W
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7317DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€19.8W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:365pF@75V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4455DY-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:150V
栅极电荷:42nC@10V
连续漏极电流:2.8A
导通电阻:295mΩ@4A,10V
输入电容:1190pF@50V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
功率:3.1W€5.9W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7317DN-T1-GE3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:9.8nC@10V
漏源电压:150V
连续漏极电流:2.8A
输入电容:365pF@75V
类型:P沟道
功率:3.2W€19.8W
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4455DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€5.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:295mΩ@4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: