采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86244
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：395pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：128mΩ@2.8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2410}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N15TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2.15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ900N15NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：4V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@75V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ900N15NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：4V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@75V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N15TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2.15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ900N15NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：4V@20µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@75V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5900CNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@75V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@4.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN5900CNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€39W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@75V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@4.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86244
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：395pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：128mΩ@2.8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ900N15NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：4V@20µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@75V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN5900CNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€39W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@75V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@4.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN5900CNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€39W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@75V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@4.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86244
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：395pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：128mΩ@2.8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86244
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：395pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：128mΩ@2.8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N15TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2.15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ900N15NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：4V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@75V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1935，"22+"：25100，"23+"：3763，"MI+"：3916}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86244
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：395pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：128mΩ@2.8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN5900CNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€39W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@75V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@4.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86244
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：395pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：128mΩ@2.8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ900N15NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：4V@20µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@75V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ900N15NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：4V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@75V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5900CNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@75V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@4.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5900CNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@75V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@4.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ900N15NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：4V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@75V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ900N15NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：4V@20µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@75V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5900CNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@75V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@4.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5900CNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@75V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@4.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN5900CNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€39W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@75V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@4.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN5900CNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€39W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@75V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@4.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5900CNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@75V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@4.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
