品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA86251
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@75V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:2.4W
漏源电压:150V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:175mΩ@2.4A,10V
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):NTBGS4D1N15MC
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:88.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7285pF@75V
类型:N沟道
ECCN:EAR99
漏源电压:150V
连续漏极电流:20A€185A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBLS4D0N15MC
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:19A€187A
输入电容:7490pF@75V
栅极电荷:90.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
ECCN:EAR99
漏源电压:150V
导通电阻:4.4mΩ@80A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86240
输入电容:905 pF @ 75 V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
漏源电压:150V
类型:N 通道
栅极电荷:15 nC @ 10 V
连续漏极电流:4.6A(Ta),16A(Tc)
功率:2.3W(Ta),40W(Tc)
导通电阻:51 毫欧 @ 4.6A,10V
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN86246
功率:1.5W(Ta)
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:261 毫欧 @ 1.6A,10V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
漏源电压:150V
类型:N 通道
输入电容:225 pF @ 75 V
连续漏极电流:1.6A(Ta)
栅极电荷:5 nC @ 10 V
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86252
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:150V
功率:3.1W€89W
输入电容:985pF@75V
阈值电压:4V@250μA
导通电阻:52mΩ@5A,10V
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:16nC@10V
连续漏极电流:5A€27A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":3000,"22+":5487,"MI+":2406}
规格型号(MPN):FDC2512-P
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:150V
输入电容:344pF@75V
导通电阻:425mΩ@1.4A,10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0630N150
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5805pF@75V
类型:N沟道
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:6.3mΩ@80A,10V
栅极电荷:90nC@10V
功率:500W
连续漏极电流:169A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86252
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
漏源电压:150V
类型:N 通道
栅极电荷:15 nC @ 10 V
导通电阻:55 毫欧 @ 4.5A,10V
输入电容:955 pF @ 75 V
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
功率:2.5W(Ta),5W(Tc)
连续漏极电流:4.5A(Ta)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
生产批次:{"19+":70,"21+":3200,"22+":16690}
规格型号(MPN):FDB110N15A
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:92A
输入电容:4510pF@75V
类型:N沟道
栅极电荷:61nC@10V
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
功率:234W
导通电阻:11mΩ@92A,10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):NTB011N15MC
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:10.9mΩ@41A,10V
功率:3.75W€136.4W
连续漏极电流:12.5A€75.4A
输入电容:2810pF@75V
类型:N沟道
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4.5V@223µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86252
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:150V
功率:3.1W€89W
输入电容:985pF@75V
阈值电压:4V@250μA
导通电阻:52mΩ@5A,10V
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:16nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:5A€27A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA86265P
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
漏源电压:150V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:1A
导通电阻:1.2Ω@1A,10V
输入电容:210pF@75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB390N15A
导通电阻:39mΩ@27A,10V
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1285pF@75V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:27A
ECCN:EAR99
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86200
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.6A€35A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2715pF@75V
功率:2.5W€104W
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:18mΩ@9.6A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS022N15MC
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.2W€71.4W
输入电容:1315pF@75V
导通电阻:22mΩ@18A,10V
阈值电压:4.5V@100µA
连续漏极电流:7.4A€37.2A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBLS4D0N15MC
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:19A€187A
输入电容:7490pF@75V
栅极电荷:90.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:4.4mΩ@80A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA86265P
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
漏源电压:150V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:1A
导通电阻:1.2Ω@1A,10V
输入电容:210pF@75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86240
输入电容:905 pF @ 75 V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
漏源电压:150V
类型:N 通道
栅极电荷:15 nC @ 10 V
连续漏极电流:4.6A(Ta),16A(Tc)
功率:2.3W(Ta),40W(Tc)
导通电阻:51 毫欧 @ 4.6A,10V
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD770N15A
包装方式:卷带(TR)
功率:56.8W
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:77mΩ@12A,10V
输入电容:765pF@75V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800152DC
功率:3.2W€113W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:13A€72A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:9mΩ@13A,10V
栅极电荷:83nC@10V
输入电容:5875pF@75V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86256
连续漏极电流:1.2A€3A
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:695mΩ@10V,1.2A
漏源电压:150V
栅极电荷:2nC@10V
阈值电压:4V@250μA
功率:2.3W€10W
输入电容:73pF@75V
工作温度:-55℃~+150℃
反向传输电容:1pF@75V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD120AN15A0
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:150V
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:2.8A€14A
栅极电荷:14.5nC@10V
阈值电压:4V@250μA
功率:65W
导通电阻:120mΩ@10V,4A
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8097AC
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:395pF@75V€230pF@75V
漏源电压:150V
类型:N和P沟道
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:155mΩ@2.4A,10V
连续漏极电流:2.4A€900mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86262P
栅极电荷:13nC@10V
连续漏极电流:2A€8.4A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:885pF@75V
功率:2.3W€40W
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:307mΩ@2A,10V
漏源电压:150V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):NTB011N15MC
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:10.9mΩ@41A,10V
功率:3.75W€136.4W
连续漏极电流:12.5A€75.4A
输入电容:2810pF@75V
类型:N沟道
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4.5V@223µA
栅极电荷:37nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA86251
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@75V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:2.4W
漏源电压:150V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:175mΩ@2.4A,10V
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86255
阈值电压:4V@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:12.4mΩ@10V,10A
ECCN:EAR99
漏源电压:150V
功率:2.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD120AN15A0
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:150V
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:2.8A€14A
栅极电荷:14.5nC@10V
阈值电压:4V@250μA
功率:65W
导通电阻:120mΩ@10V,4A
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86246L
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
漏源电压:150V
栅极电荷:6.3nC@10V
输入电容:335pF@75V
导通电阻:228mΩ@2A,10V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: