品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD120AN15A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:2.8A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@10V,4A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB720P15LMATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W€3.8W
阈值电压:2V@5.55mA
栅极电荷:224nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11nF@75V
连续漏极电流:4.6A€41A
类型:1个P沟道
导通电阻:72mΩ@37A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT650N15K
工作温度:-55℃~+175℃
功率:68W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:600pF@75V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:10.8pF@75V
导通电阻:59mΩ
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:68.5mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB720P15LMATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W€3.8W
阈值电压:2V@5.55mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:224nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11nF@75V
连续漏极电流:4.6A€41A
类型:1个P沟道
导通电阻:72mΩ@37A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD120AN15A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:2.8A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@10V,4A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMP075N15NS1_T0_00601
工作温度:-55℃~+175℃
功率:258.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:97nC@10V
输入电容:6.511nF@75V
连续漏极电流:125A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:68.5mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB720P15LMATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W€3.8W
阈值电压:2V@5.55mA
栅极电荷:224nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11nF@75V
连续漏极电流:4.6A€41A
类型:1个P沟道
导通电阻:72mΩ@37A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD120AN15A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:2.8A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@10V,4A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD120AN15A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:2.8A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@10V,4A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP150N15X4
工作温度:-55℃~+175℃
功率:480W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:105nC@10V
输入电容:5.5nF@25V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2mΩ@75A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD120AN15A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:2.8A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@10V,4A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD42DP15LMATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3W€83W
阈值电压:2V@1.04mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.1nF@75V
连续漏极电流:1.7A€9A
类型:1个P沟道
导通电阻:420mΩ@8.2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD42DP15LMATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3W€83W
阈值电压:2V@1.04mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.1nF@75V
连续漏极电流:1.7A€9A
类型:1个P沟道
导通电阻:420mΩ@8.2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD42DP15LMATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3W€83W
阈值电压:2V@1.04mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.1nF@75V
连续漏极电流:1.7A€9A
类型:1个P沟道
导通电阻:420mΩ@8.2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP7D3N15MC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W€166W
阈值电压:4.5V@342μA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4.25nF@75V
连续漏极电流:12.1A€101A
类型:1个N沟道
反向传输电容:15pF@75V
导通电阻:6.2mΩ@10V,62A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD42DP15LMATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3W€83W
阈值电压:2V@1.04mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.1nF@75V
连续漏极电流:1.7A€9A
类型:1个P沟道
导通电阻:420mΩ@8.2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS6D0N15MC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:245W
阈值电压:3.6V@379μA
栅极电荷:58nC@10V
输入电容:4.815nF@75V
连续漏极电流:135A
类型:1个N沟道
反向传输电容:9.7pF@75V
导通电阻:4.6mΩ@10V,69A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD42DP15LMATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3W€83W
阈值电压:2V@1.04mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.1nF@75V
连续漏极电流:1.7A€9A
类型:1个P沟道
导通电阻:420mΩ@8.2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD120AN15A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:2.8A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@10V,4A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4024}
包装规格(MPQ):1800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPTG044N15NM5ATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:174A
类型:MOSFET
导通电阻:4.4mΩ
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT650N15K
工作温度:-55℃~+175℃
功率:68W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:600pF@75V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:10.8pF@75V
导通电阻:59mΩ
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4024}
包装规格(MPQ):1800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPTG044N15NM5ATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:174A
类型:MOSFET
导通电阻:4.4mΩ
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:68.5mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP7D3N15MC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W€166W
阈值电压:4.5V@342μA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4.25nF@75V
连续漏极电流:12.1A€101A
类型:1个N沟道
反向传输电容:15pF@75V
导通电阻:6.2mΩ@10V,62A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT650N15K
工作温度:-55℃~+175℃
功率:68W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:600pF@75V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:10.8pF@75V
导通电阻:59mΩ
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB108N15N3 G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:214W
阈值电压:2V
栅极电荷:41nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:83A
类型:MOSFET
导通电阻:10.8mΩ
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:68.5mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2504}
包装规格(MPQ):1800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPTG054N15NM5ATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:143A
类型:MOSFET
导通电阻:5.4mΩ
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: