采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUG80050E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6250pF@75V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0630N150
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5805pF@75V
连续漏极电流：169A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@80A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUG80050E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6250pF@75V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75852G3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：480nC@20V
包装方式：管件
输入电容：7690pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@75A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1247，"22+"：1386}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86210-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5805pF@75V
连续漏极电流：169A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@80A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUG80050E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6250pF@75V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUG80050E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6250pF@75V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：246，"MI+"：26}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75852G3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：480nC@20V
包装方式：管件
输入电容：7690pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@75A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1247，"22+"：1386}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86210-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5805pF@75V
连续漏极电流：169A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@80A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0630N150
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5805pF@75V
连续漏极电流：169A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@80A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86210-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5805pF@75V
连续漏极电流：169A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@80A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0630N150
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5805pF@75V
连续漏极电流：169A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@80A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0630N150
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5805pF@75V
连续漏极电流：169A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@80A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86210-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5805pF@75V
连续漏极电流：169A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@80A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUG80050E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6250pF@75V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0630N150
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5805pF@75V
连续漏极电流：169A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@80A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0630N150
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5805pF@75V
连续漏极电流：169A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@80A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0630N150
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5805pF@75V
连续漏极电流：169A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@80A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0630N150
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5805pF@75V
连续漏极电流：169A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@80A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUG80050E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6250pF@75V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：246，"MI+"：26}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75852G3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：480nC@20V
包装方式：管件
输入电容：7690pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@75A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0630N150
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5805pF@75V
连续漏极电流：169A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@80A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0630N150
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5805pF@75V
连续漏极电流：169A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@80A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75852G3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：480nC@20V
包装方式：管件
输入电容：7690pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@75A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0630N150
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5805pF@75V
连续漏极电流：169A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@80A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUG80050E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6250pF@75V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：246，"MI+"：26}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75852G3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：480nC@20V
包装方式：管件
输入电容：7690pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@75A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86210-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5805pF@75V
连续漏极电流：169A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@80A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86210-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5805pF@75V
连续漏极电流：169A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@80A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86210-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5805pF@75V
连续漏极电流：169A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@80A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
