品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA86251
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@75V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:2.4W
漏源电压:150V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:175mΩ@2.4A,10V
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):HUF75842P3
连续漏极电流:43A
功率:230W
栅极电荷:175nC@20V
类型:N沟道
输入电容:2730pF@25V
导通电阻:42mΩ@43A,10V
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP2572
栅极电荷:34nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:54mΩ@9A,10V
功率:135W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:4A€29A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":3000,"22+":5487,"MI+":2406}
规格型号(MPN):FDC2512-P
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:150V
输入电容:344pF@75V
导通电阻:425mΩ@1.4A,10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0630N150
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5805pF@75V
类型:N沟道
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:6.3mΩ@80A,10V
栅极电荷:90nC@10V
功率:500W
连续漏极电流:169A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
生产批次:{"19+":70,"21+":3200,"22+":16690}
规格型号(MPN):FDB110N15A
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:92A
输入电容:4510pF@75V
类型:N沟道
栅极电荷:61nC@10V
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
功率:234W
导通电阻:11mΩ@92A,10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA86265P
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
漏源电压:150V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:1A
导通电阻:1.2Ω@1A,10V
输入电容:210pF@75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB390N15A
导通电阻:39mΩ@27A,10V
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1285pF@75V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:27A
ECCN:EAR99
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86200
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.6A€35A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2715pF@75V
功率:2.5W€104W
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:18mΩ@9.6A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA46N15
栅极电荷:110nC@10V
功率:250W
类型:N沟道
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
导通电阻:42mΩ@25A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
输入电容:3250pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA86265P
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
漏源电压:150V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:1A
导通电阻:1.2Ω@1A,10V
输入电容:210pF@75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD770N15A
包装方式:卷带(TR)
功率:56.8W
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:77mΩ@12A,10V
输入电容:765pF@75V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800152DC
功率:3.2W€113W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:13A€72A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:9mΩ@13A,10V
栅极电荷:83nC@10V
输入电容:5875pF@75V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8097AC
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:395pF@75V€230pF@75V
漏源电压:150V
类型:N和P沟道
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:155mΩ@2.4A,10V
连续漏极电流:2.4A€900mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86262P
栅极电荷:13nC@10V
连续漏极电流:2A€8.4A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:885pF@75V
功率:2.3W€40W
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:307mΩ@2A,10V
漏源电压:150V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA86251
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@75V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:2.4W
漏源电压:150V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:175mΩ@2.4A,10V
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB2572
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:54mΩ@9A,10V
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:4A€29A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86250
导通电阻:25mΩ@6.7A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:2330pF@75V
漏源电压:150V
栅极电荷:36nC@10V
功率:2.5W€96W
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:6.7A€20A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86200
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.6A€35A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2715pF@75V
功率:2.5W€104W
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:18mΩ@9.6A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86246
栅极电荷:4nC@10V
功率:2.2W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:236mΩ@2A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
漏源电压:150V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:215pF@75V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86250
导通电阻:25mΩ@6.7A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:2330pF@75V
漏源电压:150V
栅极电荷:36nC@10V
功率:2.5W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:6.7A€20A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":432}
规格型号(MPN):FQA90N15-F109
栅极电荷:285nC@10V
导通电阻:18mΩ@45A,10V
类型:N沟道
输入电容:8700pF@25V
漏源电压:150V
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
功率:375W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86261P
包装方式:卷带(TR)
功率:2.3W€40W
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.7A€9A
导通电阻:160mΩ@2.4A,10V
漏源电压:150V
输入电容:1360pF@75V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB390N15A
导通电阻:39mΩ@27A,10V
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1285pF@75V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:27A
ECCN:EAR99
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86200
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.6A€35A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2715pF@75V
功率:2.5W€104W
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:18mΩ@9.6A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86250
导通电阻:25mΩ@6.7A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:2330pF@75V
漏源电压:150V
栅极电荷:36nC@10V
功率:2.5W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:6.7A€20A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86267P
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:150V
导通电阻:255mΩ@2.2A,10V
类型:P沟道
栅极电荷:16nC@10V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:2.2A
输入电容:1130pF@75V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":1247,"22+":1386}
规格型号(MPN):FDBL86210-F085
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5805pF@75V
类型:N沟道
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:6.3mΩ@80A,10V
栅极电荷:90nC@10V
功率:500W
连续漏极电流:169A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800152DC
功率:3.2W€113W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:13A€72A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:9mΩ@13A,10V
栅极电荷:83nC@10V
输入电容:5875pF@75V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8097AC
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:395pF@75V€230pF@75V
漏源电压:150V
类型:N和P沟道
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:155mΩ@2.4A,10V
连续漏极电流:2.4A€900mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: