品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP7D3N15MC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W€166W
阈值电压:4.5V@342μA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4.25nF@75V
连续漏极电流:12.1A€101A
类型:1个N沟道
反向传输电容:15pF@75V
导通电阻:6.2mΩ@10V,62A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP7D3N15MC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W€166W
阈值电压:4.5V@342μA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4.25nF@75V
连续漏极电流:12.1A€101A
类型:1个N沟道
反向传输电容:15pF@75V
导通电阻:6.2mΩ@10V,62A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP7D3N15MC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W€166W
阈值电压:4.5V@342μA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4.25nF@75V
连续漏极电流:12.1A€101A
类型:1个N沟道
反向传输电容:15pF@75V
导通电阻:6.2mΩ@10V,62A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP7D3N15MC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W€166W
阈值电压:4.5V@342μA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4.25nF@75V
连续漏极电流:12.1A€101A
类型:1个N沟道
反向传输电容:15pF@75V
导通电阻:6.2mΩ@10V,62A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP7D3N15MC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W€166W
阈值电压:4.5V@342μA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4.25nF@75V
连续漏极电流:12.1A€101A
类型:1个N沟道
反向传输电容:15pF@75V
导通电阻:6.2mΩ@10V,62A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP011N15MC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:136.4W
阈值电压:4.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC
包装方式:管件
连续漏极电流:74.3A
类型:MOSFET
导通电阻:10.9mΩ
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA36P15
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3.32nF@25V
连续漏极电流:36A
类型:1个P沟道
导通电阻:90mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA36P15
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3.32nF@25V
连续漏极电流:36A
类型:1个P沟道
导通电阻:90mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):NTP011N15MC
连续漏极电流:74.3A
栅极电荷:37nC
漏源电压:150V
导通电阻:10.9mΩ
包装方式:管件
阈值电压:4.5V
工作温度:-55℃~+175℃
功率:136.4W
ECCN:EAR99
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP7D3N15MC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W€166W
阈值电压:4.5V@342μA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4.25nF@75V
连续漏极电流:12.1A€101A
类型:1个N沟道
反向传输电容:15pF@75V
导通电阻:6.2mΩ@10V,62A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):NTP7D3N15MC
类型:1个N沟道
反向传输电容:15pF@75V
栅极电荷:53nC@10V
漏源电压:150V
功率:2.4W€166W
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+175℃
输入电容:4.25nF@75V
连续漏极电流:12.1A€101A
阈值电压:4.5V@342μA
导通电阻:6.2mΩ@10V,62A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP7D3N15MC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W€166W
阈值电压:4.5V@342μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4.25nF@75V
连续漏极电流:12.1A€101A
类型:1个N沟道
反向传输电容:15pF@75V
导通电阻:6.2mΩ@10V,62A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP011N15MC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:136.4W
阈值电压:4.5V
栅极电荷:37nC
包装方式:管件
连续漏极电流:74.3A
类型:MOSFET
导通电阻:10.9mΩ
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP011N15MC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:136.4W
阈值电压:4.5V
栅极电荷:37nC
包装方式:管件
连续漏极电流:74.3A
类型:MOSFET
导通电阻:10.9mΩ
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP083N15A-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.04nF@25V
连续漏极电流:83A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.3mΩ@10V,75A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2214
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4019PBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:4.9V@50μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:95mΩ@10V,10A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2214
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4019PBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:4.9V@50μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:95mΩ@10V,10A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2214
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4019PBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:4.9V@50μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:95mΩ@10V,10A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: