品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G6K8P15KE
阈值电压:4V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:570mΩ@10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K8P15K
阈值电压:2.2V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:271mΩ@10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K8P15K
阈值电压:2.2V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:271mΩ@10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K8P15K
阈值电压:2.2V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:271mΩ@10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K8P15K
阈值电压:2.2V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:271mΩ@10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G6K8P15KE
阈值电压:4V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:570mΩ@10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G6K8P15KE
阈值电压:4V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:570mΩ@10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K8P15K
阈值电压:2.2V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:271mΩ@10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K8P15K
阈值电压:2.2V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:271mΩ@10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5470}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86252L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1335pF@75V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@4.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K8P15K
阈值电压:2.2V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:271mΩ@10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K8P15K
阈值电压:2.2V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:271mΩ@10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K8P15K
阈值电压:2.2V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:271mΩ@10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K8P15K
阈值电压:2.2V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:271mΩ@10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G6K8P15KE
阈值电压:4V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:570mΩ@10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K8P15K
阈值电压:2.2V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:271mΩ@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K8P15K
阈值电压:2.2V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:271mΩ@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K8P15K
阈值电压:2.2V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:271mΩ@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5470}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86252L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1335pF@75V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@4.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: