采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G6K8P15KE
阈值电压：4V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：570mΩ@10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K8P15K
阈值电压：2.2V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：271mΩ@10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K8P15K
阈值电压：2.2V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：271mΩ@10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K8P15K
阈值电压：2.2V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：271mΩ@10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K8P15K
阈值电压：2.2V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：271mΩ@10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G6K8P15KE
阈值电压：4V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：570mΩ@10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G6K8P15KE
阈值电压：4V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：570mΩ@10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K8P15K
阈值电压：2.2V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：271mΩ@10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K8P15K
阈值电压：2.2V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：271mΩ@10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5470}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86252L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1335pF@75V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@4.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K8P15K
阈值电压：2.2V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：271mΩ@10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K8P15K
阈值电压：2.2V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：271mΩ@10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K8P15K
阈值电压：2.2V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：271mΩ@10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K8P15K
阈值电压：2.2V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：271mΩ@10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G6K8P15KE
阈值电压：4V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：570mΩ@10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K8P15K
阈值电压：2.2V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：271mΩ@10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K8P15K
阈值电压：2.2V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：271mΩ@10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K8P15K
阈值电压：2.2V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：271mΩ@10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5470}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86252L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1335pF@75V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@4.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
