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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2582
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@25V
连续漏极电流：3.7A€21A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2582
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@25V
连续漏极电流：3.7A€21A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD2582
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@25V
连续漏极电流：3.7A€21A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：FDD2582
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@7A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD2582
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功率：95W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
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连续漏极电流：3.7A€21A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD2582
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功率：95W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
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输入电容：1295pF@25V
连续漏极电流：3.7A€21A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2582
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功率：95W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@25V
连续漏极电流：3.7A€21A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD2582
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功率：95W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：3.7A€21A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD2582
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@25V
连续漏极电流：3.7A€21A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2582
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@25V
连续漏极电流：3.7A€21A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2582
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@25V
连续漏极电流：3.7A€21A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2582
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@25V
连续漏极电流：3.7A€21A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2582
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@25V
连续漏极电流：3.7A€21A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2582
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@25V
连续漏极电流：3.7A€21A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2582
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@25V
连续漏极电流：3.7A€21A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESD2544
功率：95W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11.5nC
输入电容：675pF
连续漏极电流：21A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF
导通电阻：55mΩ@10V，7A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2582
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@25V
连续漏极电流：3.7A€21A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESD2544
功率：95W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11.5nC
输入电容：675pF
连续漏极电流：21A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF
导通电阻：55mΩ@10V，7A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESD2544
功率：95W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11.5nC
输入电容：675pF
连续漏极电流：21A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF
导通电阻：55mΩ@10V，7A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESD2544
功率：95W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11.5nC
输入电容：675pF
连续漏极电流：21A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF
导通电阻：55mΩ@10V，7A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2582
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@25V
连续漏极电流：3.7A€21A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2582
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@25V
连续漏极电流：3.7A€21A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2582
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@25V
连续漏极电流：3.7A€21A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2582
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@25V
连续漏极电流：3.7A€21A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2582
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@25V
连续漏极电流：3.7A€21A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
