采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB20NM50T4
工作温度：-65℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@10A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB20NM50T4
工作温度：-65℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@10A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：STB20NM50T4
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功率：192W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@10A，10V
漏源电压：550V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-65℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
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输入电容：1480pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@10A，10V
漏源电压：550V
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功率：192W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
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连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@10A，10V
漏源电压：550V
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行业应用：工业,汽车
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阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@10A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
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