品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB50R140CPATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:192W
阈值电压:3.5V@930µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2540pF@100V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@14A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB20NM50T4
工作温度:-65℃~150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@10A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB50R140CPATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:192W
阈值电压:3.5V@930µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2540pF@100V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@14A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):IPB50R140CPATMA1
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功率:192W
阈值电压:3.5V@930µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2540pF@100V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@14A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB20NM50T4
工作温度:-65℃~150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@10A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):STB20NM50T4
工作温度:-65℃~150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@10A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ST
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规格型号(MPN):STB20NM50T4
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功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@10A,10V
漏源电压:550V
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规格型号(MPN):STB20NM50T4
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功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
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输入电容:1480pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@10A,10V
漏源电压:550V
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规格型号(MPN):IPB50R140CPATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:192W
阈值电压:3.5V@930µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2540pF@100V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@14A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):IPB50R140CPATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:192W
阈值电压:3.5V@930µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2540pF@100V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@14A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):STB20NM50T4
工作温度:-65℃~150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@10A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
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