包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF3N62K3
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:管件
输入电容:385pF@25V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.4A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF4N62K3
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:550pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1.9A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N62K3
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:875pF@50V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.28Ω@2.8A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF4N62K3
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:550pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1.9A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N62K3
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:875pF@50V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.28Ω@2.8A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF3N62K3
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:管件
输入电容:385pF@25V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.4A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF4N62K3
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:550pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1.9A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF3N62K3
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:管件
输入电容:385pF@25V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.4A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF3N62K3
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:管件
输入电容:385pF@25V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.4A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STFI4N62K3
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:550pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1.9A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STF3N62K3
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:385pF@25V
连续漏极电流:2.7A
工作温度:150℃
漏源电压:620V
类型:N沟道
阈值电压:4.5V@50µA
功率:20W
包装方式:管件
导通电阻:2.5Ω@1.4A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STU3N62K3
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:管件
输入电容:385pF@25V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.4A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STF4N62K3
工作温度:150℃
漏源电压:620V
类型:N沟道
阈值电压:4.5V@50µA
输入电容:550pF@50V
功率:25W
连续漏极电流:3.8A
包装方式:管件
导通电阻:2Ω@1.9A,10V
栅极电荷:22nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STU3LN62K3
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:386pF@50V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.25A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STFI4N62K3
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:550pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1.9A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存: