首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    品牌
    TI
    漏源电压
    15V
    包装方式
    栅极电荷
    行业应用
    功率
    连续漏极电流
    漏源电压: 15V
    包装方式: 卷带(TR)
    栅极电荷: 5.45nC@10V
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:10+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    TI Mosfet场效应管 TPS1100DR 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 TPS1100DR 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPS1100DR

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:791mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 TPS1100PWR 起订448个装
    TI Mosfet场效应管 TPS1100PWR 起订448个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":2000,"12+":4000,"14+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPS1100PWR

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:504mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.27A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 TPS1100PWR 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 TPS1100PWR 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPS1100PWR

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:504mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.27A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 TPS1100DR 起订30个装
    TI Mosfet场效应管 TPS1100DR 起订30个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPS1100DR

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:791mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 TPS1100PWR 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 TPS1100PWR 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":2000,"12+":4000,"14+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPS1100PWR

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:504mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.27A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 TPS1100DR 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 TPS1100DR 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPS1100DR

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:791mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 TPS1100PWR 起订9个装
    TI Mosfet场效应管 TPS1100PWR 起订9个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:10+

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPS1100PWR

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:504mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.27A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 TPS1100PWR 起订25个装
    TI Mosfet场效应管 TPS1100PWR 起订25个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:10+

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPS1100PWR

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:504mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.27A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 TPS1100PWR 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 TPS1100PWR 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":2000,"12+":4000,"14+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPS1100PWR

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:504mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.27A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 TPS1100PWR 起订5000个装
    TI Mosfet场效应管 TPS1100PWR 起订5000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":2000,"12+":4000,"14+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPS1100PWR

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:504mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.27A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 TPS1100PWR 起订25个装
    TI Mosfet场效应管 TPS1100PWR 起订25个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:10+

    规格型号(MPN):TPS1100PWR

    漏源电压:15V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    连续漏极电流:1.27A

    类型:P沟道

    栅极电荷:5.45nC@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:504mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 TPS1100PWR 起订8000个装
    TI Mosfet场效应管 TPS1100PWR 起订8000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:10+

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPS1100PWR

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:504mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.27A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 TPS1100PWR 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 TPS1100PWR 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:10+

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPS1100PWR

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:504mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.27A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 TPS1100DR 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 TPS1100DR 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"MI+":564}

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPS1100DR

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:791mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 TPS1100PWR 起订4000个装
    TI Mosfet场效应管 TPS1100PWR 起订4000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:10+

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPS1100PWR

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:504mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.27A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 TPS1100PWR 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 TPS1100PWR 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:10+

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPS1100PWR

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:504mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.27A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 TPS1100PWR 起订2000个装
    TI Mosfet场效应管 TPS1100PWR 起订2000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:10+

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPS1100PWR

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:504mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.27A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧