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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GC11N70K
功率：83W
阈值电压：4.5V@250μA
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：395mΩ@10V，5.5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM70N380CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：981pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.3A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF11N70
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：870mΩ@5.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM70N380CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：981pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.3A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GC11N70K
功率：83W
阈值电压：4.5V@250μA
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：395mΩ@10V，5.5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GC11N70K
功率：83W
阈值电压：4.5V@250μA
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：395mΩ@10V，5.5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GC11N70T
功率：83W
阈值电压：4.5V@250μA
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：395mΩ@10V，5.5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM70N380CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：981pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.3A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF11N70
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：870mΩ@5.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM70N380CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：981pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.3A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM70N380CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：981pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.3A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF11N70
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：870mΩ@5.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM70N380CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：981pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.3A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM70N380CP ROG
输入电容：981pF@100V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：380mΩ@3.3A，10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
漏源电压：700V
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18.8nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM70N380CH C5G
输入电容：981pF@100V
导通电阻：380mΩ@3.3A，10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
漏源电压：700V
功率：125W
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18.8nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM70N380CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：981pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.3A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18.8nC@10V
输入电容：981pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@3.3A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18.8nC@10V
输入电容：981pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@3.3A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18.8nC@10V
输入电容：981pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@3.3A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GC11N70T
功率：83W
阈值电压：4.5V@250μA
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：395mΩ@10V，5.5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GC11N70K
功率：83W
阈值电压：4.5V@250μA
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：395mΩ@10V，5.5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18.8nC@10V
输入电容：981pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@3.3A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF11N70
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：870mΩ@5.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GC11N70T
功率：83W
阈值电压：4.5V@250μA
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：395mΩ@10V，5.5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GC11N70F
功率：31W
阈值电压：4.5V@250μA
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：395mΩ@10V，5.5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GC11N70T
功率：83W
阈值电压：4.5V@250μA
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：395mΩ@10V，5.5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GC11N70T
功率：83W
阈值电压：4.5V@250μA
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：395mΩ@10V，5.5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GC11N70T
功率：83W
阈值电压：4.5V@250μA
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：395mΩ@10V，5.5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GC11N70K
功率：83W
漏源电压：700V
导通电阻：395mΩ@10V，5.5A
类型：1个N沟道
连续漏极电流：11A
阈值电压：4.5V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
