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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN70R1K4P7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6.2W
阈值电压：3.5V@40µA
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：158pF@400V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@700mA，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN70R1K4P7S
功率：6.2W
阈值电压：3.5V@40μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.4Ω@10V，700mA
漏源电压：700V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：IPN70R1K4P7SATMA1
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栅极电荷：4.7nC@10V
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输入电容：158pF@400V
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：IPN70R1K4P7SATMA1
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功率：6.2W
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栅极电荷：4.7nC@10V
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输入电容：158pF@400V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
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规格型号(MPN)：IPN70R1K4P7SATMA1
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功率：6.2W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：158pF@400V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
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功率：6.2W
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连续漏极电流：4A
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规格型号(MPN)：IPN70R1K4P7SATMA1
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输入电容：158pF@400V
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类型：N沟道
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功率：6.2W
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ECCN：EAR99
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输入电容：158pF@400V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
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生产批次：{"19+"：310，"20+"：1873}
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规格型号(MPN)：IPN70R1K4P7SATMA1
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功率：6.2W
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输入电容：158pF@400V
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：IPN70R1K4P7S
功率：6.2W
阈值电压：3.5V@40μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
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规格型号(MPN)：IPN70R1K4P7SATMA1
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类型：N沟道
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
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栅极电荷：4.7nC@10V
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类型：N沟道
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功率：6.2W
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：IPN70R1K4P7SATMA1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPN70R1K4P7SATMA1
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类型：N沟道
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生产批次：{"19+"：310，"20+"：1873}
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工作温度：-40℃~150℃
功率：6.2W
阈值电压：3.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：158pF@400V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@700mA，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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类型：1个N沟道
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类型：1个N沟道
导通电阻：1.4Ω@10V，700mA
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN70R1K4P7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6.2W
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栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@700mA，10V
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