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    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBG30PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBG30PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBG30PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:980pF@25V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@1.9A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    ST Mosfet场效应管 STW5NK100Z
    ST Mosfet场效应管 STW5NK100Z

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW5NK100Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1154pF@25V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7Ω@1.75A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBG30PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBG30PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBG30PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:980pF@25V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@1.9A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    Microchip Mosfet场效应管 APT10090BLLG
    Microchip Mosfet场效应管 APT10090BLLG

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT10090BLLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:298W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1969pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@6A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPG30PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPG30PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFPG30PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:980pF@25V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@1.9A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    IXYS Mosfet场效应管 IXFX24N100Q3
    IXYS Mosfet场效应管 IXFX24N100Q3

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFX24N100Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1000W

    阈值电压:6.5V@4mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7200pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:440mΩ@12A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP5NK100Z 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STP5NK100Z 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP5NK100Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1154pF@25V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7Ω@1.75A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    IXYS Mosfet场效应管 IXFR15N100Q3 起订30个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFR15N100Q3 起订30个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFR15N100Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400W

    阈值电压:6.5V@4mA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3250pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@7.5A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBG20PBF-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBG20PBF-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBG20PBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@840mA,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    CREE Mosfet场效应管 C3M0065100K
    CREE Mosfet场效应管 C3M0065100K

    品牌:CREE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):C3M0065100K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:113.5W

    阈值电压:3.5V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:660pF@600V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:78mΩ@20A,15V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP7N100P
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP7N100P

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFP7N100P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2590pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9Ω@3.5A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT10078BLLG
    Microchip Mosfet场效应管 APT10078BLLG

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT10078BLLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:403W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2525pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:780mΩ@7A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFT15N100Q3 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFT15N100Q3 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFT15N100Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:690W

    阈值电压:6.5V@4mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3250pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.05Ω@7.5A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFX32N100Q3
    IXYS Mosfet场效应管 IXFX32N100Q3

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFX32N100Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1250W

    阈值电压:6.5V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9940pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@16A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBG20PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBG20PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBG20PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@840mA,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:38
    加购:35
    ST Mosfet场效应管 STU2NK100Z
    ST Mosfet场效应管 STU2NK100Z

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STU2NK100Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:70W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:499pF@25V

    连续漏极电流:1.85A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5Ω@900mA,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    加购:5
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP2N100P
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP2N100P

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP2N100P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:86W

    阈值电压:4.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:655pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBG30PBF 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBG30PBF 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBG30PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:980pF@25V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@1.9A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA3N100D2HV
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA3N100D2HV

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTA3N100D2HV

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:37.5nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:1020pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@1.5A,0V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQA8N100C
    onsemi Mosfet场效应管 FQA8N100C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA8N100C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3220pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45Ω@4A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:120
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBG20PBF 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBG20PBF 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBG20PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@840mA,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFR24N100Q3
    IXYS Mosfet场效应管 IXFR24N100Q3

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFR24N100Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500W

    阈值电压:6.5V@4mA

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7200pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:490mΩ@12A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF3NK100Z
    ST Mosfet场效应管 STF3NK100Z

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF3NK100Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:601pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@1.25A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FQA8N100C
    onsemi Mosfet场效应管 FQA8N100C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA8N100C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3220pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45Ω@4A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    加购:30
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBG20PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBG20PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBG20PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@840mA,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ST Mosfet场效应管 STW13NK100Z
    ST Mosfet场效应管 STW13NK100Z

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW13NK100Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350W

    阈值电压:4.5V@150µA

    栅极电荷:266nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:90
    ST Mosfet场效应管 STP8NK100Z
    ST Mosfet场效应管 STP8NK100Z

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP8NK100Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:160W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:102nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2180pF@25V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.85Ω@3.15A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:50
    ST Mosfet场效应管 STW13NK100Z
    ST Mosfet场效应管 STW13NK100Z

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW13NK100Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350W

    阈值电压:4.5V@150µA

    栅极电荷:266nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    ST Mosfet场效应管 STW11NK100Z
    ST Mosfet场效应管 STW11NK100Z

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW11NK100Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:230W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:162nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:8.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.38Ω@4.15A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    IXYS Mosfet场效应管 IXFR26N100P
    IXYS Mosfet场效应管 IXFR26N100P

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFR26N100P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290W

    阈值电压:6.5V@1mA

    栅极电荷:197nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11900pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:430mΩ@13A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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