包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP114N12N3 G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：3V

栅极电荷：49nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：75A

类型：MOSFET

导通电阻：11.4mΩ

漏源电压：120V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP041N12N3 G

工作温度：-55℃~175℃

功率：300W

阈值电压：4V@270µA

栅极电荷：211nC@10V

包装方式：Tube

输入电容：13800pF@60V

连续漏极电流：120A

类型：N沟道

导通电阻：4.1mΩ@100A，10V

漏源电压：120V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP041N12N3 G

工作温度：-55℃~175℃

功率：300W

阈值电压：4V@270µA

栅极电荷：211nC@10V

包装方式：Tube

输入电容：13800pF@60V

连续漏极电流：120A

类型：N沟道

导通电阻：4.1mΩ@100A，10V

漏源电压：120V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP041N12N3 G

工作温度：-55℃~175℃

功率：300W

阈值电压：4V@270µA

栅极电荷：211nC@10V

包装方式：Tube

输入电容：13800pF@60V

连续漏极电流：120A

类型：N沟道

导通电阻：4.1mΩ@100A，10V

漏源电压：120V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP114N12N3 G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：3V

栅极电荷：49nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：75A

类型：MOSFET

导通电阻：11.4mΩ

漏源电压：120V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP041N12N3GXK

工作温度：-55℃~+175℃

功率：300W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：211nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：120A

类型：MOSFET

导通电阻：3.5mΩ

漏源电压：120V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：500psc

规格型号(MPN)：IPP114N12N3 G

阈值电压：3V

连续漏极电流：75A

功率：136W

包装方式：Tube

漏源电压：120V

工作温度：-55℃~+175℃

导通电阻：11.4mΩ

栅极电荷：49nC

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：500psc

规格型号(MPN)：IPP114N12N3 G

阈值电压：3V

连续漏极电流：75A

功率：136W

包装方式：Tube

漏源电压：120V

工作温度：-55℃~+175℃

导通电阻：11.4mΩ

栅极电荷：49nC

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1