采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4511SK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.54W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：5.3A€5A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：35mΩ@8A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4511SK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.54W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：5.3A€5A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：35mΩ@8A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4511SK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.54W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：5.3A€5A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：35mΩ@8A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG4511SK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.54W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：5.3A€5A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：35mΩ@8A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4511SK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.54W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：5.3A€5A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：35mΩ@8A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG4511SK4-13
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功率：1.54W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：5.3A€5A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：35mΩ@8A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4511SK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.54W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：5.3A€5A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：35mΩ@8A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG4511SK4-13
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功率：1.54W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：5.3A€5A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：35mΩ@8A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG4511SK4-13
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功率：1.54W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：5.3A€5A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：35mΩ@8A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG4511SK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.54W
阈值电压：3V@250µA
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输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：5.3A€5A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：35mΩ@8A，10V
漏源电压：35V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4511SK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.54W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：5.3A€5A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：35mΩ@8A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1501}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6635
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€55W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@20V
连续漏极电流：15A€59A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@15A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4511SK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.54W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：5.3A€5A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：35mΩ@8A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG4511SK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.54W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：5.3A€5A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：35mΩ@8A，10V
漏源电压：35V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4511SK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.54W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：5.3A€5A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：35mΩ@8A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4511SK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.54W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：5.3A€5A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：35mΩ@8A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4511SK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.54W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：5.3A€5A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：35mΩ@8A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4511SK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.54W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：5.3A€5A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：35mΩ@8A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4511SK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.54W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：5.3A€5A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：35mΩ@8A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6635
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€55W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@20V
连续漏极电流：15A€59A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@15A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4511SK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.54W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：5.3A€5A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：35mΩ@8A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4511SK4-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：5.3A€5A
功率：1.54W
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：35mΩ@8A，10V
阈值电压：3V@250µA
输入电容：850pF@25V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4511SK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.54W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：5.3A€5A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：35mΩ@8A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4511SK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.54W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：5.3A€5A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：35mΩ@8A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4511SK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.54W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：5.3A€5A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：35mΩ@8A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4511SK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.54W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：5.3A€5A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：35mΩ@8A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4511SK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.54W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：5.3A€5A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：35mΩ@8A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1501}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6635
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€55W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@20V
连续漏极电流：15A€59A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@15A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4511SK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.54W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：5.3A€5A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：35mΩ@8A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4511SK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.54W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：5.3A€5A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：35mΩ@8A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
