采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：140，"04+"：29100}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD60N03-001
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@24V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：121654}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP85N03
工作温度：-55℃~150℃
功率：80W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@24V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@40A，10V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3150L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@5V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3150L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@5V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3150L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@5V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：641，"16+"：129500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4503NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@16V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@14A，10V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：121654}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP85N03
工作温度：-55℃~150℃
功率：80W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@24V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@40A，10V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3150L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@5V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：6015，"MI+"：1400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP85N03G
工作温度：-55℃~150℃
功率：80W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@24V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@40A，10V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3150L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@5V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3150L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@5V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3150L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@5V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：140，"04+"：29100}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD60N03-001
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@24V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3150LW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3150L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@5V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3.6A，4.5V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3150LW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP85N03G
工作温度：-55℃~150℃
功率：80W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@24V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@40A，10V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4503NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@16V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@14A，10V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD60N03-001
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@24V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD60N03-001
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@24V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3150L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@5V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：641，"16+"：129500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4503NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@16V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@14A，10V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3150LW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3150LW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3150L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@5V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3150LW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3150L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@5V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3150L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@5V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3150LW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：641，"16+"：129500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4503NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@16V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@14A，10V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
