品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT2004UFDF-7
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:800mW(Ta),12.5W(Tc)
阈值电压:1.45V @ 250µA
栅极电荷:53.7 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1683 pF @ 15 V
连续漏极电流:14.1A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:6 毫欧 @ 9A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT2004UFDF-7
功率:800mW(Ta),12.5W(Tc)
栅极电荷:53.7 nC @ 10 V
导通电阻:6 毫欧 @ 9A,10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14.1A(Ta)
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
类型:N 通道
漏源电压:24V
输入电容:1683 pF @ 15 V
阈值电压:1.45V @ 250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD110N02R-001G
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:1.5W(Ta),110W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
栅极电荷:28 nC @ 4.5 V
包装方式:管件
输入电容:3440 pF @ 20 V
连续漏极电流:12.5A(Ta),110A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.6 毫欧 @ 20A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存: