采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：1338796}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6636R-TL-W
工作温度：150℃
功率：900mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20mΩ@3A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：342000，"11+"：230970，"14+"：243000，"15+"：198000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EMH2412-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.4W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@3A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4615R-TR
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@3A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2023UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3333pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：615000，"16+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4612R-TR
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EMH2412-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@3A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6636R-TL-W
工作温度：150℃
功率：900mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20mΩ@3A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：4925，"15+"：120000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4615R-TR
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@3A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2023UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3333pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：615000，"16+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4612R-TR
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2023UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3333pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2023UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3333pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：1338796}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6636R-TL-W
工作温度：150℃
功率：900mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20mΩ@3A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：342000，"11+"：230970，"14+"：243000，"15+"：198000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EMH2412-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.4W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@3A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：4925，"15+"：120000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4615R-TR
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@3A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2023UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3333pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2023UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3333pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2023UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3333pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4615R-TR
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@3A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4612R-TR
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"14+"：4925，"15+"：120000}
规格型号(MPN)：EFC4615R-TR
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
阈值电压：1.3V@1mA
漏源电压：24V
功率：1.6W
连续漏极电流：6A
ECCN：EAR99
导通电阻：31mΩ@3A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2023UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3333pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"14+"：1338796}
规格型号(MPN)：CPH6636R-TL-W
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：20mΩ@3A，4.5V
工作温度：150℃
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
ECCN：EAR99
功率：900mW
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2023UCB4-7
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3333pF@10V
功率：1.45W
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4612R-TR
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6636R-TL-W
工作温度：150℃
功率：900mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20mΩ@3A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6636R-TL-W
工作温度：150℃
功率：900mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20mΩ@3A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2023UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3333pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6636R-TL-W
工作温度：150℃
功率：900mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20mΩ@3A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6636R-TL-W
工作温度：150℃
功率：900mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20mΩ@3A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
