采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT10050LVFRG
阈值电压：4V@2.5mA
栅极电荷：500nC@10V
输入电容：7.9nF@25V
连续漏极电流：21A
类型：1个N沟道
导通电阻：500mΩ@500mA，10V
漏源电压：1kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT1001RSVRG
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：225nC@10V
输入电容：3.66nF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：1Ω@500mA，10V
漏源电压：1kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MASPOWER
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MS18N100HGC0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：470W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：66.64nC
输入电容：2.85nF
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：30pF
导通电阻：550mΩ@10V，9A
漏源电压：1kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT10050LVFRG
阈值电压：4V@2.5mA
栅极电荷：500nC@10V
输入电容：7.9nF@25V
连续漏极电流：21A
类型：1个N沟道
导通电阻：500mΩ@500mA，10V
漏源电压：1kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT10050LVFRG
阈值电压：4V@2.5mA
栅极电荷：500nC@10V
输入电容：7.9nF@25V
连续漏极电流：21A
类型：1个N沟道
导通电阻：500mΩ@500mA，10V
漏源电压：1kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MASPOWER
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MS18N100HGC0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：470W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：66.64nC
输入电容：2.85nF
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：30pF
导通电阻：550mΩ@10V，9A
漏源电压：1kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA8N100C
阈值电压：5V@250μA
导通电阻：1.45Ω@10V，4A
连续漏极电流：8A
包装方式：管件
类型：1个N沟道
功率：225W
ECCN：EAR99
漏源电压：1kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA8N100C
阈值电压：5V@250μA
导通电阻：1.45Ω@10V，4A
连续漏极电流：8A
包装方式：管件
类型：1个N沟道
功率：225W
ECCN：EAR99
漏源电压：1kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
