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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3500
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4765pF@40V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@11.5A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7812DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@35V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7812DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@35V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3500
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4765pF@40V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@11.5A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7812DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@35V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3500
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4765pF@40V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@11.5A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7812DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@35V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN7022LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2737pF@35V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7812DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@35V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3500
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4765pF@40V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@11.5A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7812DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@35V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7812DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@35V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN7022LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2737pF@35V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN7022LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2737pF@35V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3500
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4765pF@40V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@11.5A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7812DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@35V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7812DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@35V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3500
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4765pF@40V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@11.5A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3500
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4765pF@40V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@11.5A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7812DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@35V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7812DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@35V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3500
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4765pF@40V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@11.5A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7812DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@35V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3500
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4765pF@40V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@11.5A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7812DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@35V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7812DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@35V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN7022LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2737pF@35V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7812DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@35V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7812DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@35V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7812DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@35V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
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