采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS037N08B
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW€104.2W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5915pF@37.5V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3500
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4765pF@40V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@11.5A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC036NE7NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€156W
阈值电压：3.8V@110µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@37.5V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：37200，"18+"：1220}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL716SNH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.8V@218µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2.5A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7174DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2770pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@10A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS037N08B
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW€104.2W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5915pF@37.5V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7812DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@35V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7174DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2770pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@10A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7812DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@35V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3500
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4765pF@40V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@11.5A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC036NE7NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€156W
阈值电压：3.8V@110µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@37.5V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7148DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@35V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@15A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3502
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€41W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：815pF@40V
连续漏极电流：6A€14A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@6A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7812DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@35V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3500
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4765pF@40V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@11.5A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7812DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@35V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN7022LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2737pF@35V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7812DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@35V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS037N08B
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW€104.2W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5915pF@37.5V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC036NE7NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€156W
阈值电压：3.8V@110µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@37.5V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7148DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@35V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@15A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS037N08B
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW€104.2W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5915pF@37.5V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3502
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€41W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：815pF@40V
连续漏极电流：6A€14A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@6A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC042NE7NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：3.8V@91µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@37.5V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3500
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4765pF@40V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@11.5A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC042NE7NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：3.8V@91µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@37.5V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7812DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@35V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7812DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@35V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC042NE7NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：3.8V@91µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@37.5V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN7022LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2737pF@35V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
