首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS037N08B 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS037N08B 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS037N08B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW€104.2W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5915pF@37.5V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3500 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3500 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3500

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4765pF@40V

    连续漏极电流:9.2A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB045AN08A0 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB045AN08A0 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB045AN08A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:138nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6600pF@25V

    连续漏极电流:19A€90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@80A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4065-DL-1E 起订63个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4065-DL-1E 起订63个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":202}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4065-DL-1E

    工作温度:150℃

    功率:1.65W€90W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12200pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP047N08-F102 起订267个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP047N08-F102 起订267个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":10697,"MI+":800}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP047N08-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:268W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:152nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9415pF@25V

    连续漏极电流:164A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP16AN08A0 起订167个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP16AN08A0 起订167个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":1600,"18+":1900}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP16AN08A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1857pF@25V

    连续漏极电流:9A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@58A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4065-DL-1EX 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4065-DL-1EX 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":3140}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4065-DL-1EX

    工作温度:150℃

    功率:1.65W€90W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12200pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP16AN08A0 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP16AN08A0 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":1600,"18+":1900}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP16AN08A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1857pF@25V

    连续漏极电流:9A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@58A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD16AN08A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1874pF@25V

    连续漏极电流:9A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP060AN08A0 起订236个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP060AN08A0 起订236个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"24+":45600,"MI+":1600}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP060AN08A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:255W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5150pF@25V

    连续漏极电流:16A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS037N08B 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS037N08B 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS037N08B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW€104.2W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5915pF@37.5V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD16AN08A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1874pF@25V

    连续漏极电流:9A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD16AN08A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1874pF@25V

    连续漏极电流:9A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD16AN08A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1874pF@25V

    连续漏极电流:9A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD16AN08A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1874pF@25V

    连续漏极电流:9A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDH210N08 起订510个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDH210N08 起订510个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDH210N08

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:462W

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    连续漏极电流:210A

    类型:N沟道

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP047AN08A0 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP047AN08A0 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP047AN08A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:138nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6600pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3500 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3500 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3500

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4765pF@40V

    连续漏极电流:9.2A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD16AN08A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1874pF@25V

    连续漏极电流:9A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP16AN08A0 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP16AN08A0 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":1600,"18+":1900}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP16AN08A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1857pF@25V

    连续漏极电流:9A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@58A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD16AN08A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1874pF@25V

    连续漏极电流:9A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD16AN08A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1874pF@25V

    连续漏极电流:9A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3502 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3502 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3502

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€41W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:815pF@40V

    连续漏极电流:6A€14A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@6A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDA032N08 起订1350个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDA032N08 起订1350个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA032N08

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:15160pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@75A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3500 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3500 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3500

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4765pF@40V

    连续漏极电流:9.2A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS037N08B 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS037N08B 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS037N08B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW€104.2W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5915pF@37.5V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB045AN08A0-F085 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB045AN08A0-F085 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":680,"21+":146,"22+":800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB045AN08A0-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:138nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6600pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@80A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP047N08 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP047N08 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP047N08

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:268W(Tc)

    阈值电压:4.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:152 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:9415 pF @ 25 V

    连续漏极电流:164A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.7 毫欧 @ 80A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS037N08B 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS037N08B 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS037N08B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW€104.2W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5915pF@37.5V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB045AN08A0 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB045AN08A0 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB045AN08A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:138nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6600pF@25V

    连续漏极电流:19A€90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@80A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧