品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3499DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:750mV@250µA
栅极电荷:42nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@7A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1485pF@4V
连续漏极电流:5.3A
类型:P-Channel
导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1485pF@4V
连续漏极电流:5.3A
类型:P-Channel
导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3499DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:750mV@250µA
栅极电荷:42nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@7A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1485pF@4V
连续漏极电流:5.3A
类型:P-Channel
导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1485pF@4V
连续漏极电流:5.3A
类型:P-Channel
导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1485pF@4V
连续漏极电流:5.3A
类型:P-Channel
导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3499DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:750mV@250µA
栅极电荷:42nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@7A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3499DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:750mV@250µA
栅极电荷:42nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@7A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1485pF@4V
连续漏极电流:5.3A
类型:P-Channel
导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1485pF@4V
连续漏极电流:5.3A
类型:P-Channel
导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3499DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:750mV@250µA
栅极电荷:42nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@7A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3499DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:750mV@250µA
栅极电荷:42nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@7A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1485pF@4V
连续漏极电流:5.3A
类型:P-Channel
导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1485pF@4V
连续漏极电流:5.3A
类型:P-Channel
导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3499DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:750mV@250µA
栅极电荷:42nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@7A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1485pF@4V
连续漏极电流:5.3A
类型:P-Channel
导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1485pF@4V
连续漏极电流:5.3A
类型:P-Channel
导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1485pF@4V
连续漏极电流:5.3A
类型:P-Channel
导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3499DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:750mV@250µA
栅极电荷:42nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@7A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3499DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:750mV@250µA
栅极电荷:42nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@7A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3499DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:750mV@250µA
栅极电荷:42nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@7A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3499DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:750mV@250µA
栅极电荷:42nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@7A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1485pF@4V
导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V
栅极电荷:29nC@4.5V
连续漏极电流:5.3A
类型:P-Channel
功率:2.5W
阈值电压:800mV@250µA
漏源电压:8V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3499DV-T1-GE3
导通电阻:23mΩ@7A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
连续漏极电流:5.3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:750mV@250µA
栅极电荷:42nC@4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1485pF@4V
导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V
栅极电荷:29nC@4.5V
连续漏极电流:5.3A
类型:P-Channel
功率:2.5W
阈值电压:800mV@250µA
漏源电压:8V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1485pF@4V
导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V
栅极电荷:29nC@4.5V
连续漏极电流:5.3A
类型:P-Channel
功率:2.5W
阈值电压:800mV@250µA
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存: