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销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：115@100mA，2V
集电极电流(Ic)：200mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：30V
特征频率：260MHz
功率：150mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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集电集截止电流(Icbo)：500nA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：115@100mA，2V
集电极电流(Ic)：200mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：30V
特征频率：260MHz
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晶体管类型：PNP-预偏压
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集电集截止电流(Icbo)：500nA
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集射极击穿电压(Vceo)：30V
特征频率：260MHz
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集电集截止电流(Icbo)：500nA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：140@100mA，2V
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集射极击穿电压(Vceo)：30V
特征频率：260MHz
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晶体管类型：NPN-预偏压
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特征频率：260MHz
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功率：150mW
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晶体管类型：NPN-预偏压
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：140@100mA，2V
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集射极击穿电压(Vceo)：30V
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晶体管类型：NPN-预偏压
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：140@100mA，2V
集电极电流(Ic)：200mA
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集射极击穿电压(Vceo)：30V
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晶体管类型：NPN-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
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晶体管类型：NPN-预偏压
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库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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包装清单：商品主体 * 1
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：140@100mA，2V
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：140@100mA，2V
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