销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV@5mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@500mA，2V

集电极电流(Ic)：1A

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：60V

特征频率：80MHz

功率：1.5W

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV@5mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@500mA，2V

集电极电流(Ic)：1A

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：60V

特征频率：80MHz

功率：1.5W

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV@5mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@500mA，2V

集电极电流(Ic)：1A

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：60V

特征频率：80MHz

功率：1.5W

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1