销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"08+"：24000，"11+"：8000，"17+"：96000，"18+"：30500}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：338mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50 @ 10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：2 NPN - 预偏置

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"03+"：12000，"12+"：1666}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：160 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"03+"：7960，"05+"：4000，"06+"：12000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：500mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"03+"：59600，"04+"：48000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：160 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：500mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"07+"：48000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：500mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"04+"：83930}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：160 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：500mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"04+"：3000，"05+"：9000，"06+"：45000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：160 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"MI+"：15999}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：160 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：500mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"06+"：39761}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：500mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：160 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：2 NPN - 预偏置

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"15+"：5745}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：2 NPN - 预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：270mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：300mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：2 NPN - 预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：2 NPN - 预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：2 NPN - 预偏置

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"04+"：6000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：160 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：160 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1