销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV@5mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@500mA，2V

集电极电流(Ic)：1A

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：60V

特征频率：80MHz

功率：1.5W

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：1610

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：400mV@5mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

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集射极击穿电压(Vceo)：60V

特征频率：80MHz

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晶体管类型：NPN-预偏压

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销售单位：个

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特征频率：80MHz

功率：2W

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BST52，135

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：500nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

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包装清单：商品主体 * 1