销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

电阻比：10kOhms

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50 @ 10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kOhms

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：100mW

晶体管类型：NPN - 预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

电阻比：10kOhms

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50 @ 10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kOhms

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：100mW

晶体管类型：NPN - 预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

电阻比：10kOhms

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50 @ 10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kOhms

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：100mW

晶体管类型：NPN - 预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

电阻比：10kOhms

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50 @ 10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kOhms

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：100mW

晶体管类型：NPN - 预偏压

包装清单：商品主体 * 1