采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：8@5mA，10V
功率：246mW
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
功率：150mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@20mA，5V
ECCN：EAR99
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
晶体管类型：PNP-预偏压
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
功率：200mW
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@50mA，5V
集电集截止电流(Icbo)：500nA
晶体管类型：PNP-预偏压
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
特征频率：140MHz
集电极电流(Ic)：500mA
ECCN：EAR99
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：320mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：{"15+"：129500}
输入电阻：2.2kΩ
集电集截止电流(Icbo)：500nA
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
功率：246mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
ECCN：EAR99
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
输入电阻：1kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@1mA，10mA
功率：150mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：260mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，10V
功率：200mW
输入电阻：47kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA
集电极电流(Ic)：60mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极电流(Ic)：50mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
输入电阻：10kΩ
功率：200mW
ECCN：EAR99
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
功率：246mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
ECCN：EAR99
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：246mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
ECCN：EAR99
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
功率：200mW
ECCN：EAR99
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
晶体管类型：PNP-预偏压
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：30mA
功率：200mW
ECCN：EAR99
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
功率：246mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
ECCN：EAR99
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：{"08+"：13500，"09+"：12000，"10+"：9000，"11+"：627000，"12+"：11000，"15+"：48000，"21+"：46500，"22+"：123000，"23+"：54000}
集电集截止电流(Icbo)：500nA
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
功率：246mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
ECCN：EAR99
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：15@5mA，10V
功率：202mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：246mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
输入电阻：47kΩ
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：150mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
晶体管类型：PNP-预偏压
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：260mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：15@5mA，10V
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：82@5mA，5V
输入电阻：100kΩ
功率：150mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电极电流(Ic)：20mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：15@5mA，10V
功率：202mW
ECCN：EAR99
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
功率：200mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：200mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@10mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：150mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
功率：200mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极电流(Ic)：50mA
输入电阻：10kΩ
功率：200mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
功率：246mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：22kΩ
功率：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：202mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
