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    集电集截止电流(Icbo): 500nA
    功率: 246mW
    晶体管类型: NPN-预偏压
    直流增益(hFE@Ic,Vce): 80@5mA,10V
    当前匹配商品:200+
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    onsemi 数字晶体管 MMUN2213LT1G
    onsemi 数字晶体管 MMUN2213LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:96
    onsemi 数字晶体管 SMMUN2233LT1G
    onsemi 数字晶体管 SMMUN2233LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:35
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2235LT1G
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2235LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:2.2kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:36
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2236LT1G
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2236LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:100kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15
    onsemi 数字晶体管 SMMUN2214LT1G
    onsemi 数字晶体管 SMMUN2214LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:56
    onsemi 数字晶体管 MMUN2214LT1G 起订222个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2214LT1G 起订222个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:2133

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2233LT1G
    onsemi 数字晶体管 MMUN2233LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    onsemi 数字晶体管 MMUN2236LT1G
    onsemi 数字晶体管 MMUN2236LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"20+":147000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:100kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5834
    onsemi 数字晶体管 MMUN2213LT1G
    onsemi 数字晶体管 MMUN2213LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1600
    加购:200
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2236LT1G
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2236LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:100kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi 数字晶体管 MMUN2213LT1G
    onsemi 数字晶体管 MMUN2213LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:200
    onsemi 数字晶体管 SMMUN2214LT1G
    onsemi 数字晶体管 SMMUN2214LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi 数字晶体管 SMMUN2213LT3G
    onsemi 数字晶体管 SMMUN2213LT3G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi 数字晶体管 SMMUN2213LT3G
    onsemi 数字晶体管 SMMUN2213LT3G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi 数字晶体管 MMUN2214LT1G
    onsemi 数字晶体管 MMUN2214LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi 数字晶体管 SMMUN2213LT3G
    onsemi 数字晶体管 SMMUN2213LT3G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:17
    onsemi 数字晶体管 MMUN2214LT1G
    onsemi 数字晶体管 MMUN2214LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    onsemi 数字晶体管 MMUN2214LT1G
    onsemi 数字晶体管 MMUN2214LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:27
    onsemi 数字晶体管 MMUN2213LT1G
    onsemi 数字晶体管 MMUN2213LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2233LT3G
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2233LT3G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"16+":51258,"19+":5200}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13889
    onsemi 数字晶体管 MMUN2213LT1G
    onsemi 数字晶体管 MMUN2213LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:800
    加购:200
    onsemi 数字晶体管 MMUN2214LT1G 起订1000个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2214LT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:21+

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 SMMUN2213LT3G
    onsemi 数字晶体管 SMMUN2213LT3G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30000
    加购:10000
    onsemi 数字晶体管 MMUN2235LT1G
    onsemi 数字晶体管 MMUN2235LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:2.2kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    onsemi 数字晶体管 MMUN2235LT1G
    onsemi 数字晶体管 MMUN2235LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:2.2kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi 数字晶体管 MMUN2234LT1G
    onsemi 数字晶体管 MMUN2234LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:22kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi 数字晶体管 MMUN2234LT1G 起订40个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2234LT1G 起订40个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:22kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:40
    onsemi 数字晶体管 MMUN2233LT1G 起订9000个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2233LT1G 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    加购:3000
    onsemi 数字晶体管 MMUN2213LT1G
    onsemi 数字晶体管 MMUN2213LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    onsemi 数字晶体管 SMMUN2213LT3G
    onsemi 数字晶体管 SMMUN2213LT3G

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:17
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