销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：140MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：140MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：140MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

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输入电阻：4.7kΩ

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特征频率：140MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

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销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

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ECCN：EAR99

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特征频率：140MHz

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晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

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特征频率：140MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FMMT634TA

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：900mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：140MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：960mV@5mA，1A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：140MHz

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晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FMMT634TA

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：900mA

功率：625mW

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特征频率：140MHz

工作温度：55℃~150℃

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包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：FMMT634QTA

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集电极电流(Ic)：900mA

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集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：140MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：960mV@5mA，1A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

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销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：140MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

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销售单位：个

规格型号(MPN)：FMMT634QTA

集射极击穿电压(Vceo)：100V

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特征频率：140MHz

工作温度：55℃~150℃

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包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：FMMT634QTA

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集电极电流(Ic)：900mA

功率：806mW

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特征频率：140MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：960mV@5mA，1A

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晶体管类型：NPN

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销售单位：个

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ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：FMMT634TA

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：900mA

功率：625mW

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特征频率：140MHz

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：960mV@5mA，1A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

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销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：140MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FMMT634TA

集射极击穿电压(Vceo)：100V

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集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：140MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：960mV@5mA，1A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：FMMT634QTA

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：900mA

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集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：140MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：960mV@5mA，1A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：FMMT634TA

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集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：140MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：960mV@5mA，1A

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晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：FMMT634TA

集射极击穿电压(Vceo)：100V

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ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：FMMT634TA

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销售单位：个

规格型号(MPN)：FMMT634TA

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销售单位：个

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：960mV@5mA，1A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：FMMT634QTA

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：960mV@5mA，1A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FMMT634QTA

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：900mA

功率：806mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：140MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：960mV@5mA，1A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：17600，"19+"：156000，"20+"：48338}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：140MHz

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：140MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：140MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FMMT634TA

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：900mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：140MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：960mV@5mA，1A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：140MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1