销售单位：个

输入电阻：10kΩ

集电集截止电流(Icbo)：100nA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@1mA，5V

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V

特征频率：150MHz

集射极击穿电压(Vceo)：80V

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电集截止电流(Icbo)：100nA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电集截止电流(Icbo)：100nA

功率：200mW

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@5mA，5V

特征频率：190MHz

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

特征频率：180MHz

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

功率：360mW

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

特征频率：150MHz

集射极击穿电压(Vceo)：80V

功率：235mW

晶体管类型：PNP-预偏压

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@1mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

晶体管类型：PNP-预偏压

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

功率：100mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电集截止电流(Icbo)：100nA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：100nA

输入电阻：22kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

ECCN：EAR99

功率：250mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

特征频率：180MHz

集电集截止电流(Icbo)：100nA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

功率：360mW

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

功率：260mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电集截止电流(Icbo)：100nA

输入电阻：1kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

功率：250mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，5V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

特征频率：150MHz

集射极击穿电压(Vceo)：80V

功率：235mW

晶体管类型：PNP-预偏压

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

集电集截止电流(Icbo)：100nA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@1mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：200MHz

功率：100mW

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电集截止电流(Icbo)：100nA

输入电阻：22kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@1mA，5V

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电集截止电流(Icbo)：100nA

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10µA，5V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电集截止电流(Icbo)：100nA

功率：200mW

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@5mA，5V

特征频率：190MHz

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

特征频率：150MHz

集射极击穿电压(Vceo)：80V

功率：235mW

晶体管类型：PNP-预偏压

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"08+"：30000}

包装方式：散装

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

晶体管类型：PNP-预偏压

输入电阻：4.7kΩ

特征频率：200MHz

集电集截止电流(Icbo)：100nA

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

特征频率：150MHz

集射极击穿电压(Vceo)：80V

输入电阻：47kΩ

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电集截止电流(Icbo)：100nA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

集电集截止电流(Icbo)：100nA

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

功率：250mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电集截止电流(Icbo)：100nA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电集截止电流(Icbo)：100nA

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10µA，5V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电集截止电流(Icbo)：100nA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@1mA，5V

功率：200mW

输入电阻：47kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电集截止电流(Icbo)：100nA

输入电阻：1kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

功率：250mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，5V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

集电集截止电流(Icbo)：100nA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

功率：250mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"13+"：150000}

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@5mA，5V

晶体管类型：PNP-预偏压

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

集电集截止电流(Icbo)：100nA

功率：200mW

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

特征频率：180MHz

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

功率：340mW

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

特征频率：180MHz

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

功率：340mW

包装清单：商品主体 * 1