销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V

集电极电流(Ic)：100mA，500mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，40V

特征频率：300MHz

功率：300mW

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V

集电极电流(Ic)：100mA，500mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，40V

特征频率：300MHz

功率：300mW

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：60000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V

集电极电流(Ic)：100mA，500mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，40V

特征频率：300MHz

功率：300mW

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：76000，"21+"：128000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：08+

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V

集电极电流(Ic)：100mA，500mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，40V

特征频率：300MHz

功率：300mW

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V

集电极电流(Ic)：100mA，500mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，40V

特征频率：300MHz

功率：300mW

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V

集电极电流(Ic)：100mA，500mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，40V

特征频率：300MHz

功率：300mW

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V

集电极电流(Ic)：100mA，500mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，40V

特征频率：300MHz

功率：300mW

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"10+"：11920}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V

集电极电流(Ic)：100mA，500mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，40V

特征频率：300MHz

功率：300mW

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V

集电极电流(Ic)：100mA，500mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，40V

特征频率：300MHz

功率：300mW

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

ECCN：EAR99

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集电极电流(Ic)：100mA，500mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，40V

特征频率：300MHz

功率：300mW

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

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功率：300mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

ECCN：EAR99

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集电极电流(Ic)：100mA，500mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，40V

特征频率：300MHz

功率：300mW

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

ECCN：EAR99

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集电极电流(Ic)：100mA，500mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，40V

特征频率：300MHz

功率：300mW

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1