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    ON SEMI
    集电集截止电流(Icbo)
    20μA
    直流增益(hFE@Ic，Vce)
    1000@3A，4V
    集电集截止电流(Icbo)： 20μA
    直流增益(hFE@Ic，Vce)： 1000@3A，4V
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    onsemi 达林顿管 2N6045G 起订数50个
    onsemi 达林顿管 2N6045G 起订数50个

    品牌：ON SEMI

    分类：达林顿管

    数据手册

    销售单位：个

    集电集截止电流(Icbo)：20μA

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@12mA，3A

    晶体管类型：NPN

    直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V

    包装清单：商品主体 * 1

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    onsemi 达林顿管 2N6045G 起订数100个
    onsemi 达林顿管 2N6045G 起订数100个

    品牌：ON SEMI

    分类：达林顿管

    数据手册

    销售单位：个

    集电集截止电流(Icbo)：20μA

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@12mA，3A

    晶体管类型：NPN

    直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V

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