包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD122-1
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:20W
集电集截止电流(Icbo):10µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX603
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:150MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@1mA,1A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX603
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:150MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@1mA,1A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):KSD1692YS
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):3A
功率:1.3W
集电集截止电流(Icbo):10µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.2V@1.5mA,1.5A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):4000@1.5A,2V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX601
集射极击穿电压(Vceo):160V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:250MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.2V@10mA,1A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX601
集射极击穿电压(Vceo):160V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:250MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.2V@10mA,1A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD2016
集射极击穿电压(Vceo):200V
集电极电流(Ic):3A
功率:25W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:90MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@1.5mA,1A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@1A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD122-1
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:20W
集电集截止电流(Icbo):10µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX601
集射极击穿电压(Vceo):160V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:250MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.2V@10mA,1A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX605
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:150MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@1mA,1A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX601
集射极击穿电压(Vceo):160V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:250MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.2V@10mA,1A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX601B
集射极击穿电压(Vceo):160V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:250MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.2V@10mA,1A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX601
集射极击穿电压(Vceo):160V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:250MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.2V@10mA,1A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX605
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:150MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@1mA,1A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX605
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:150MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@1mA,1A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX601
集射极击穿电压(Vceo):160V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:250MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.2V@10mA,1A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD122-1
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:20W
集电集截止电流(Icbo):10µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX601B
集射极击穿电压(Vceo):160V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:250MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.2V@10mA,1A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX603
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:150MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@1mA,1A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX605
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:150MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@1mA,1A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX605
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:150MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@1mA,1A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD122-1
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:20W
集电集截止电流(Icbo):10µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD122-1
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:20W
集电集截止电流(Icbo):10µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX603
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:150MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@1mA,1A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX605
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:150MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@1mA,1A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX603
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:150MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@1mA,1A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX601
集射极击穿电压(Vceo):160V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:250MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.2V@10mA,1A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX601B
集射极击穿电压(Vceo):160V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:250MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.2V@10mA,1A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD2016
集射极击穿电压(Vceo):200V
集电极电流(Ic):3A
功率:25W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:90MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@1.5mA,1A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@1A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存: