包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122-1

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1351

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：12A

功率：30W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：130MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，10A

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@10A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSD1692YS

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：3A

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@1.5mA，1.5A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：4000@1.5A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD2016

集射极击穿电压(Vceo)：200V

集电极电流(Ic)：3A

功率：25W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：90MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1.5mA，1A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122-1

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SLA6024

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：8A

功率：5W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：50MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@10mA，5A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1257

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：4A

功率：25W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：150MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@6mA，3A

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@3A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1351

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：12A

功率：30W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：130MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，10A

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@10A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122-1

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SLA6023

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：6A

功率：5W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：80MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@10mA，5A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SLA6024

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：8A

功率：5W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：50MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@10mA，5A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122-1

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122-1

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SLA6023

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：6A

功率：5W

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@10mA，5A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

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销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD2016

集射极击穿电压(Vceo)：200V

集电极电流(Ic)：3A

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特征频率：90MHz

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晶体管类型：NPN

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包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1351

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：12A

功率：30W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：130MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，10A

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晶体管类型：PNP

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销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD2016

集射极击穿电压(Vceo)：200V

集电极电流(Ic)：3A

功率：25W

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特征频率：90MHz

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1.5mA，1A

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晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1351

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：12A

功率：30W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：130MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，10A

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@10A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1257

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：4A

功率：25W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：150MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@6mA，3A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@3A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122-1

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SLA6024

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：8A

功率：5W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：50MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@10mA，5A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1257

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：4A

功率：25W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：150MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@6mA，3A

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@3A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1257

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：4A

功率：25W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：150MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@6mA，3A

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晶体管类型：PNP

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销售单位：个

规格型号(MPN)：KSD1692YS

集射极击穿电压(Vceo)：100V

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生产批次：{"21+"：1725}

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSD1692YS

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：3A

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@1.5mA，1.5A

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包装方式：散装

晶体管类型：NPN

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规格型号(MPN)：2SD2016

集射极击穿电压(Vceo)：200V

集电极电流(Ic)：3A

功率：25W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：90MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1.5mA，1A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122-1

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1257

特征频率：150MHz

集电极电流(Ic)：4A

集电集截止电流(Icbo)：10µA

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晶体管类型：PNP

集射极击穿电压(Vceo)：60V

工作温度：150℃

功率：25W

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@6mA，3A

包装方式：散装

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SB1257

特征频率：150MHz

集电极电流(Ic)：4A

集电集截止电流(Icbo)：10µA

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晶体管类型：PNP

集射极击穿电压(Vceo)：60V

工作温度：150℃

功率：25W

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@6mA，3A

包装方式：散装

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：1725}

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSD1692YS

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：3A

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@1.5mA，1.5A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：4000@1.5A，2V

包装清单：商品主体 * 1