品牌:ST
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):STGYA50M120DF3
栅极阈值电压(Vge(th)):2.2V@15V,50A
关断延迟时间:258ns
反向恢复时间:325ns
关断损耗:3.2mJ
开启延迟时间:38ns
集电极截止电流(Ices):1.2kV
栅极电荷:194nC
类型:FS(场截止)
导通损耗:2mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):STGYA50M120DF3
栅极阈值电压(Vge(th)):2.2V@15V,50A
关断延迟时间:258ns
反向恢复时间:325ns
关断损耗:3.2mJ
开启延迟时间:38ns
集电极截止电流(Ices):1.2kV
栅极电荷:194nC
类型:FS(场截止)
导通损耗:2mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):STGYA50M120DF3
栅极阈值电压(Vge(th)):2.2V@15V,50A
关断延迟时间:258ns
反向恢复时间:325ns
关断损耗:3.2mJ
开启延迟时间:38ns
集电极截止电流(Ices):1.2kV
栅极电荷:194nC
类型:FS(场截止)
导通损耗:2mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):STGYA50M120DF3
栅极阈值电压(Vge(th)):2.2V@15V,50A
关断延迟时间:258ns
反向恢复时间:325ns
关断损耗:3.2mJ
开启延迟时间:38ns
集电极截止电流(Ices):1.2kV
栅极电荷:194nC
类型:FS(场截止)
导通损耗:2mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):STGYA50M120DF3
栅极阈值电压(Vge(th)):2.2V@15V,50A
关断延迟时间:258ns
反向恢复时间:325ns
关断损耗:3.2mJ
开启延迟时间:38ns
集电极截止电流(Ices):1.2kV
栅极电荷:194nC
类型:FS(场截止)
导通损耗:2mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):STGYA50M120DF3
栅极阈值电压(Vge(th)):2.2V@15V,50A
关断延迟时间:258ns
反向恢复时间:325ns
关断损耗:3.2mJ
开启延迟时间:38ns
集电极截止电流(Ices):1.2kV
栅极电荷:194nC
类型:FS(场截止)
导通损耗:2mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):STGYA50M120DF3
栅极阈值电压(Vge(th)):2.2V@15V,50A
关断延迟时间:258ns
反向恢复时间:325ns
关断损耗:3.2mJ
开启延迟时间:38ns
集电极截止电流(Ices):1.2kV
栅极电荷:194nC
类型:FS(场截止)
导通损耗:2mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
销售单位:个
反向恢复时间:31.8ns
开启延迟时间:20.8ns
关断损耗:0.309mJ
工作温度:-55℃~+175℃
集电极截止电流(Ices):650V
导通损耗:1.35mJ
类型:FS(场截止)
栅极阈值电压(Vge(th)):2.2V@15V,50A
关断延迟时间:62.4ns
栅极电荷:72.2nC
包装清单:商品主体 * 1
库存: