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品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP064NPBF-JSM
功率：200W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：170nC@10V
输入电容：4nF@25V
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
反向传输电容：480pF@25V
导通电阻：8mΩ@10V，59A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP064NPBF-JSM
功率：200W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：170nC@10V
输入电容：4nF@25V
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
反向传输电容：480pF@25V
导通电阻：8mΩ@10V，59A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT45GP120JDQ2
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：4nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
类型：PT
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：75nC@10V
输入电容：4nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT45GP120JDQ2
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：4nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
类型：PT
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：75nC@10V
输入电容：4nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：75nC@10V
输入电容：4nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：75nC@10V
输入电容：4nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP064NPBF-JSM
功率：200W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：170nC@10V
输入电容：4nF@25V
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
反向传输电容：480pF@25V
导通电阻：8mΩ@10V，59A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：HUF75345S3ST
包装方式：卷带（TR）
功率：325W
类型：1个N沟道
连续漏极电流：75A
栅极电荷：275nC@20V
阈值电压：4V@250μA
输入电容：4nF@25V
漏源电压：55V
工作温度：-55℃~+175℃
导通电阻：7mΩ@75A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
