采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9630STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@3.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ476EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ476EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR4105TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR4105TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9630STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@3.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR4105TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ476EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：3129}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR4105TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C684NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：6344，"12+"：2023，"14+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD30N03S2L20GBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：2V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR4105TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ476EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：3129}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR4105TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9630STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@3.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ34NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@16A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C684NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
