采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C684NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C684NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C684NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"01+"：1000，"03+"：1670，"04+"：1567}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP22N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"02+"：2400，"03+"：800，"04+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB22N06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C684NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C684NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C684NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C684NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C684NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C684NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C684NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C684NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C684NLT4G
输入电容：700pF@25V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
导通电阻：16.5mΩ@15A，10V
功率：27W
连续漏极电流：38A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB22N06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C684NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C684NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C684NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"02+"：2400，"03+"：800，"04+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB22N06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"01+"：1000，"03+"：1670，"04+"：1567}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP22N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP22N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB22N06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
