品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N60NZTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF730ASPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3.3A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7P50D(T6RSS-Q)
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:4.4V@1mA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.22Ω@3.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZDX050N50
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.4V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:散装
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD5N60TM-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:54W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:4.6A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@2.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF730ASPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3.3A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A03E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:12.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N60NZTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFHS8342TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.35V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:8.8A€19A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N60NZTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFHS8342TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.35V@25µA
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:8.8A€19A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFHS8342TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.35V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:8.8A€19A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFHS8342TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.35V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:8.8A€19A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFHS8342TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.35V@25µA
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:8.8A€19A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A03E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:12.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF730ASPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3.3A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N60NZTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A03E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF730APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3.3A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A03E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N60NZTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF730APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3.3A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A03E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF730APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3.3A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZDX050N50
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.4V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:散装
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ148EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFHS8342TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.35V@25µA
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:8.8A€19A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ148EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD5N60TM-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:54W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:4.6A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@2.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ148EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: