采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7P50D(T6RSS-Q)
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.22Ω@3.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZDX050N50
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：散装
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"21+"：778，"22+"：465}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSM10GP120BPSA1
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：600pF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
工作温度：150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"21+"：778，"22+"：465}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSM10GP120BPSA1
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：600pF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
工作温度：150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZDX050N50
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：散装
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"21+"：778，"22+"：465}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSM10GP120BPSA1
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：600pF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
工作温度：150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7P50D(T6RSS-Q)
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.22Ω@3.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7P50D(T6RSS-Q)
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.22Ω@3.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7P50D(T6RSS-Q)
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.22Ω@3.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"21+"：778，"22+"：465}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSM10GP120BPSA1
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：600pF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
工作温度：150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"21+"：778，"22+"：465}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSM10GP120BPSA1
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：600pF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
工作温度：150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZDX050N50
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：散装
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
生产批次：{"21+"：778，"22+"：465}
规格型号(MPN)：BSM10GP120BPSA1
包装方式：托盘
输入电容：600pF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
工作温度：150℃
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7P50D(T6RSS-Q)
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.22Ω@3.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"21+"：778，"22+"：465}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSM10GP120BPSA1
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：600pF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
工作温度：150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7P50D(T6RSS-Q)
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.22Ω@3.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7P50D(T6RSS-Q)
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.22Ω@3.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"21+"：778，"22+"：465}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSM10GP120BPSA1
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：600pF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
工作温度：150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"21+"：778，"22+"：465}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSM10GP120BPSA1
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：600pF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
工作温度：150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK5035DPP-A0#T2
工作温度：150℃
功率：29W
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK5035DPP-A0#T2
工作温度：150℃
功率：29W
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK5035DPP-A0#T2
工作温度：150℃
功率：29W
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：25psc
规格型号(MPN)：RJK5035DPP-A0#T2
工作温度：150℃
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
输入电容：600pF@25V
导通电阻：1.6Ω@2.5A，10V
功率：29W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
