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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB48EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：3.3V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2.35nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2个N沟道
导通电阻：5.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"18+"：686，"21+"：10}
包装规格(MPQ)：15psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DF120R12W2H3B27BOMA1
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：2.35nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
工作温度：-40℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"15+"：285}
销售单位：个
规格型号(MPN)：DF80R12W2H3B11BOMA1
ECCN：EAR99
输入电容：2.35nF@25V
栅极阈值电压(Vge(th))：1.7V@15V，20A
集电极截止电流(Ices)：1.2kV
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"15+"：285}
销售单位：个
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栅极阈值电压(Vge(th))：1.7V@15V，20A
集电极截止电流(Ices)：1.2kV
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：15psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DF120R12W2H3B27BOMA1
包装方式：托盘
输入电容：2.35nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
工作温度：-40℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"15+"：285}
销售单位：个
规格型号(MPN)：DF80R12W2H3B11BOMA1
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栅极阈值电压(Vge(th))：1.7V@15V，20A
集电极截止电流(Ices)：1.2kV
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB48EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：3.3V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2.35nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2个N沟道
导通电阻：5.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB48EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：3.3V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2.35nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2个N沟道
导通电阻：5.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB48EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：3.3V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2.35nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2个N沟道
导通电阻：5.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"18+"：686，"21+"：10}
包装规格(MPQ)：15psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DF120R12W2H3B27BOMA1
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：2.35nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
工作温度：-40℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"18+"：686，"21+"：10}
包装规格(MPQ)：15psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DF120R12W2H3B27BOMA1
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：2.35nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
工作温度：-40℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"18+"：686，"21+"：10}
包装规格(MPQ)：15psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DF120R12W2H3B27BOMA1
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：2.35nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
工作温度：-40℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：15psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DF120R12W2H3B27BOMA1
包装方式：托盘
输入电容：2.35nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
工作温度：-40℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"15+"：285}
销售单位：个
规格型号(MPN)：DF80R12W2H3B11BOMA1
ECCN：EAR99
输入电容：2.35nF@25V
栅极阈值电压(Vge(th))：1.7V@15V，20A
集电极截止电流(Ices)：1.2kV
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB48EP-T1_GE3
阈值电压：3.3V@250μA
输入电容：2.35nF@25V
漏源电压：40V
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
导通电阻：5.2mΩ@8A，10V
栅极电荷：40nC@10V
连续漏极电流：30A
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6530KNZ4C13
功率：305W
阈值电压：5V@960μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.35nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：DF80R12W2H3B11BOMA1
输入电容：2.35nF@25V
栅极阈值电压(Vge(th))：1.7V@15V，20A
集电极截止电流(Ices)：1.2kV
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6530KNZ4C13
漏源电压：650V
阈值电压：5V@960μA
输入电容：2.35nF@25V
类型：1个N沟道
栅极电荷：56nC@10V
导通电阻：140mΩ@14.5A，10V
连续漏极电流：30A
功率：305W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
包装规格(MPQ)：15psc
规格型号(MPN)：DF120R12W2H3B27BOMA1
包装方式：托盘
输入电容：2.35nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
工作温度：-40℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6530KNZ4C13
功率：305W
阈值电压：5V@960μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.35nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6530KNXC7G
功率：86W
阈值电压：5V@960μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.35nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6530KNXC7G
功率：86W
阈值电压：5V@960μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.35nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"18+"：686，"21+"：10}
包装规格(MPQ)：15psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DF120R12W2H3B27BOMA1
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：2.35nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
工作温度：-40℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6030KNZ4C13
功率：305W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.35nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：15psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DF120R12W2H3B27BOMA1
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：2.35nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
工作温度：-40℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6530KNZ4C13
功率：305W
阈值电压：5V@960μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.35nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6530KNZ4C13
功率：305W
阈值电压：5V@960μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.35nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"18+"：686，"21+"：10}
包装规格(MPQ)：15psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DF120R12W2H3B27BOMA1
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：2.35nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
工作温度：-40℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6530KNZ4C13
功率：305W
阈值电压：5V@960μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.35nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：15psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DF120R12W2H3B27BOMA1
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：2.35nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
工作温度：-40℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
